概述
HMC-MDB172是一款單芯片I/Q混頻器，可用作鏡像抑制混頻器(IRM)或單邊帶上變頻器。 此款無源MMIC采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術制造。 針對下變頻應用，外部正交混合器件可用于選擇所需邊帶同時抑制圖像信號。

所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化，Shottky器件已完全鈍化以實現可靠操作。 HMC-MDB172 I/Q MMIC混頻器可兼容常規的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。
數據表：*附件：HMC-MDB172 I Q混頻器 IRM芯片技術手冊.pdf

特性

• 寬IF帶寬： DC - 5 GHz
• 高鏡像抑制： 35 dB
• LO至RF高隔離： 28 dB
• 無源： 無需直流偏置
• 裸片尺寸： 2.2 x 2.0 x 0.1 mm

應用

• 點對點無線電
• VSAT
• 軍用雷達、ECM和EW
• 測試和測量設備
• 衛星通信

框圖

外形圖

焊盤描述

應用電路
應用電路 1 展示了混頻器等效電路。應用電路 2 描繪了使用 90° 混合耦合器實現信號鏡像抑制的混頻器。所有中頻（IF）參數均基于理想的 90° 混合耦合器在 IF 輸出端口進行設定。在應用電路 1 中，將端口 1 和 / 或端口 2（混頻器）端接為 50Ω 后測量轉換損耗。三階輸入截點（IP3）表示為一個輸入 IP3 數值，它是在假定存在理想混合耦合器的情況下得出的。