概述
HMC-MDB277是一款無源雙平衡MMIC混頻器，采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術(shù)，可用作上變頻器或下變頻器。 所有焊盤和芯片背面都經(jīng)過Ti/Au金屬化，Shottky器件已完全鈍化以實(shí)現(xiàn)可靠操作。

HMC-MDB277雙平衡混頻器可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應(yīng)用。 這款緊湊型MMIC可以取代混合型雙平衡式混頻器，而且體積要小得多，性能更加穩(wěn)定。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測得。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC-MDB277 DBL-BAL混頻器芯片技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 短程/高容量無線電
• FCC E波段通信系統(tǒng)
• 汽車?yán)走_(dá)
• 傳感器
• 測試和測量設(shè)備
  特性
• 寬IF帶寬： DC - 18 GHz
• 無源雙平衡拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
• LO輸入功率： +14 dBm
• 裸片尺寸： 1.55 x 1.4 x 0.1 mm

框圖

外形圖

焊盤描述

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術(shù)

芯片應(yīng)通過共晶方式或使用導(dǎo)電環(huán)氧直接附著到接地層（詳見HMC通用操作、安裝、鍵合說明 ）。建議使用0.127毫米（5密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底制作50歐姆微帶傳輸線，用于芯片的射頻信號輸入輸出（圖1）。若使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，則芯片需凸起0.150毫米（6密耳），使芯片表面與襯底表面齊平。一種實(shí)現(xiàn)方法是先附著0.102毫米（4密耳）厚的芯片，再加上0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片），然后將其連接到接地層（圖2）。

為縮短鍵合線長度，微帶襯底應(yīng)盡量靠近芯片放置。芯片與襯底的典型間距為0.076 - 0.152毫米（3 - 6密耳）。

操作注意事項(xiàng)

遵循以下預(yù)防措施，避免造成永久性損壞：

• 存儲 ：所有裸芯片應(yīng)置于基于醚華夫格或凝膠的靜電防護(hù)容器中，然后密封在靜電防護(hù)袋中運(yùn)輸。靜電防護(hù)袋一旦打開，芯片應(yīng)存放在干燥的氮?dú)猸h(huán)境中。
• 清潔度 ：在清潔環(huán)境中操作芯片，請勿使用液體清潔系統(tǒng)清潔芯片。
• 靜電敏感度 ：遵循靜電防護(hù)措施，防止靜電沖擊。
• 瞬態(tài) ：施加偏置時(shí)，抑制儀器和偏置電源的瞬態(tài)。使用屏蔽信號線和偏置電纜，減少電感拾取。
• 一般操作 ：使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子沿芯片邊緣操作。芯片表面有脆弱的空氣橋，請勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。

安裝

芯片背面已金屬化，可使用金錫共晶預(yù)制件或?qū)щ姯h(huán)氧進(jìn)行芯片貼裝。貼裝表面應(yīng)清潔平整。

• 共晶芯片貼裝 ：推薦使用80/20的金錫預(yù)制件，工作表面溫度255°C，工具溫度265°C。使用90/10的氮?dú)浠旌蠚怏w時(shí)，工具尖端溫度應(yīng)為290°C。芯片溫度不得超過320°C，持續(xù)時(shí)間不超20秒，貼裝過程中擦拭時(shí)間不超3秒。
• 環(huán)氧貼裝 ：在貼裝表面涂抹少量環(huán)氧，芯片就位后其周邊應(yīng)形成一圈薄環(huán)氧邊。按制造商固化時(shí)間表固化環(huán)氧。

引線鍵合

• 射頻鍵合 ：推薦使用0.003英寸×0.0005英寸的帶狀鍵合線，熱壓鍵合，壓力40 - 60克。直流鍵合推薦使用直徑0.001英寸（0.025毫米）的鍵合線，熱壓鍵合。
• 球鍵合 ：推薦使用直徑0.0015英寸（0.038毫米）的鍵合線進(jìn)行球鍵合，壓力18 - 22克，鍵合階段溫度150°C。施加最小限度的超聲波能量以實(shí)現(xiàn)可靠鍵合，鍵合長度盡量短，小于12密耳（0.31毫米）。