概述
HMC-MDB169是一款無源雙平衡MMIC混頻器，采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)肖特基二極管技術，可用作上變頻器或下變頻器。 這款緊湊型混頻器具有寬IF帶寬、低轉換損耗、LO至RF和LO至IF的高隔離性能。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化，Shottky器件已完全鈍化以實現可靠操作。
數據表：*附件：HMC-MDB169 DBL-BAL混頻器芯片技術手冊.pdf

HMC-MDB169雙平衡混頻器可兼容常規的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應用。 這款緊湊型MMIC可以取代混合型雙平衡式混頻器，而且體積要小得多，性能更加穩定。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。

應用

• 短程/高容量無線電
• 點對多點設備
• 軍用雷達、ECM和EW
• 衛星通信

特性

• 無源雙平衡拓撲結構
• LO至RF高隔離： 30 dB
• 低轉換損耗： 8 dB
• 寬IF帶寬： DC - 5 GHz
• 裸片尺寸： 0.9 x 1.0 x 0.1 mm

框圖

電氣規格

外形圖

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術

芯片應直接通過共晶方式或使用導電環氧粘貼到接地層（參見HMC通用操作、安裝、鍵合說明 ）。建議使用0.127mm（5密耳）厚的氧化鋁薄膜微帶線進行50歐姆傳輸，以將射頻信號從芯片引出（圖1）。如果使用0.254mm（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，則芯片應凸起0.150mm（6密耳），使芯片表面與襯底表面齊平。一種實現此目的的方法是附著一個0.102mm（4密耳）厚的芯片，再加上一個0.150mm（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片），然后將其連接到接地層（圖2）。

為了最小化鍵合線長度，微帶襯底應盡可能靠近芯片放置。典型的芯片與襯底間距為0.076mm至0.152mm（3至6密耳）。

操作注意事項

遵循以下預防措施，以免造成永久性損壞：

• 存儲 ：所有芯片應放置在Ether Waffle或基于凝膠的靜電防護容器中，然后密封在靜電防護袋中運輸。靜電防護袋一旦打開，所有芯片應存放在干燥的氮氣環境中。
• 清潔度 ：在清潔環境中操作芯片。請勿嘗試使用清潔系統清潔芯片。
• 靜電敏感度 ：遵循靜電防護措施，防止靜電沖擊。
• 瞬態 ：施加偏置時，抑制儀器和偏置電源的瞬態。使用屏蔽信號線和電纜，以盡量減少感應拾取。
• 一般操作 ：使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子沿芯片邊緣操作芯片。芯片表面有脆弱的空氣橋，請勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。

安裝

芯片背面已金屬化，可使用金錫共晶預制件或導電環氧進行芯片貼合。安裝表面應清潔且平整。

• 共晶芯片貼合 ：建議使用80/20的金錫預制件，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。當使用90/10的氮氣/氫氣混合氣體時，焊料溫度應為290°C。請勿使芯片溫度超過320°C，加熱時間不得超過20秒。貼合過程中不得擦拭芯片。
• 環氧貼合 ：在安裝表面涂抹少量環氧，以便芯片放置到位后，其周邊能形成一圈薄薄的環氧填充。按照制造商的固化時間表固化環氧。

引線鍵合

• 射頻鍵合 ：建議使用0.003英寸×0.0005英寸的帶狀鍵合線。這些鍵合應采用熱壓鍵合，壓力為40 - 60克。直流鍵合建議使用直徑0.001英寸（0.025毫米）的鍵合線，熱壓鍵合，壓力為40 - 50克。
• 球鍵合 ：建議使用直徑0.0015英寸（0.038毫米）的鍵合線進行球鍵合，壓力為18 - 22克。所有鍵合的標稱階段溫度應為150°C。應施加最小限度的超聲波能量，以實現可靠鍵合。所有鍵合長度應盡可能短，小于12密耳（0.31毫米）。
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