效率與穩(wěn)定性：鈣鈦礦太陽能電池因其高效率（超過25%）和潛在的商業(yè)化前景而受到關注。其效率依賴于光學、形貌和電學性質。

鈣鈦礦材料特性：鈣鈦礦材料具有可調節(jié)的帶隙、高吸收系數、長電子-空穴擴散長度、高電荷載流子遷移率等優(yōu)點，使其在光伏技術中具有廣泛的應用前景。

鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）的工作原理

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鈣鈦礦太陽能電池的工作原理

光吸收：太陽光照射到鈣鈦礦層（光吸收層），光子能量被鈣鈦礦材料吸收。吸收光子能量后，鈣鈦礦層中的電子從價帶躍遷到導帶，從而產生電子-空穴對（光生載流子）。

載流子分離：產生的電子和空穴在內建電場的作用下分離。內建電場是由電子傳輸層（ETL）和空穴傳輸層（HTL）與鈣鈦礦層之間的能級差形成的。電子被推向ETL，空穴被推向HTL。

載流子傳輸：分離后的電子通過ETL傳輸到負極（通常為金屬電極）。分離后的空穴通過HTL傳輸到正極（通常為金屬電極）。

電流生成：電子和空穴分別被負極和正極收集，并通過外部電路形成電流。電流可以通過逆變器放大，用于不同的光電應用。

影響鈣鈦礦電池性能的因素

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帶隙的影響

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調節(jié)帶隙來提高PSC效率的實驗結果

帶隙調節(jié)方法：通過摻雜RbI和KI等元素，調節(jié)錫基鈣鈦礦材料的帶隙。

效率提升：通過調節(jié)帶隙，錫基鈣鈦礦太陽能電池的效率可以顯著提高，最高達到了21.04%。

最佳帶隙范圍：圖中展示了在某個特定帶隙范圍內，電池效率達到最高值，為實際應用提供了指導。

電子傳輸層和空穴傳輸層材料的選擇

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ETL、鈣鈦礦層和HTL的能量帶圖

ETL和HTL的能級對齊：ETL的導帶應低于鈣鈦礦層的導帶，HTL的價帶應高于鈣鈦礦層的價帶，以確保有效的載流子傳輸。

CBO和VBO：適當的CBO和VBO可以減少載流子復合，提高電池效率。

電子親和能和帶隙：圖中展示了ETL、鈣鈦礦層和HTL的電子親和能和帶隙，幫助理解能級對齊的具體參數。

ETL和HTL材料與鈣鈦礦材料的匹配情況

ETL材料：ZnO、TiO2、SnO2、GO、CdS等；HTL材料：CuI、MoO3、P3HT、NiO、Cu2O等，每種材料都有其獨特的性能特點。

材料對比：不同ETL和HTL材料的性能特點：包括電子親和能、帶隙、遷移率、制備溫度等。不同ETL和HTL材料與鈣鈦礦層的能級對齊情況，有助于判斷不同材料組合對電池性能的影響。

界面處的能帶偏移情況及對電荷載流子復合和電流密度-電壓曲線

CBO和VBO的定義：CBO表示ETL與鈣鈦礦層之間的導帶能量差，VBO表示HTL與鈣鈦礦層之間的價帶能量差。

載流子復合的減少：適當的CBO和VBO可以減少載流子的復合，提高電池的效率和穩(wěn)定性。

J-V曲線的影響：適當的CBO可以顯著提高電池的填充因子（FF）和短路電流密度（Jsc），從而提高光電轉換效率（PCE）。

薄膜層厚度的影響

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薄膜鈣鈦礦太陽能電池的SEM圖像和平面結構

薄膜鈣鈦礦太陽能電池的截面結構，包括FTO、ETL、鈣鈦礦層、HTL和金屬電極的厚度。

鈣鈦礦層厚度：鈣鈦礦層的主要功能是吸收太陽光并產生光生載流子。如果鈣鈦礦層過薄，光吸收不足，導致光電流降低；如果過厚，會導致載流子復合增加，效率降低。通常，厚度需要在幾百納米到幾微米之間，以平衡光吸收和載流子傳輸。

ETL厚度：ETL的厚度影響電子的傳輸效率和電池的串聯電阻。通常在幾十納米到幾百納米之間，以確保電子傳輸效率和減少串聯電阻。

HTL厚度：HTL的厚度影響空穴的傳輸效率和電池的串聯電阻。通常在100納米到200納米之間，以確保空穴傳輸效率和減少串聯電阻。

串聯電阻：串聯電阻主要由電池的非均勻形貌、電路連接、接觸電阻等因素引起。通過優(yōu)化ETL和HTL的厚度，可以減少串聯電阻，提高電池性能。

缺陷密度的影響

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鈣鈦礦材料中存在的各種缺陷類型

缺陷類型：空位（晶格點上缺少原子或離子）、間隙（原子或離子位于晶格的間隙中）、位錯（晶格中的線缺陷，導致晶格畸變）、晶界（不同晶體顆粒之間的邊界）、弗倫克爾缺陷（原子或離子從晶格點移動到間隙中）、肖特基缺陷（晶格中同時存在多個空位）

缺陷的影響：

載流子復合：這些缺陷可以作為陷阱態(tài)，捕獲電子或空穴，導致載流子復合增加，降低電池效率。

電學不穩(wěn)定性：缺陷會引入額外的能態(tài)，影響載流子的傳輸和電池的電學穩(wěn)定性。

熱穩(wěn)定性：缺陷可能影響材料的熱穩(wěn)定性，導致在高溫下分解或降解。

串聯電阻的影響

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串聯電阻是指在太陽能電池中，從光生載流子的產生到最終被外部電路收集的過程中，遇到的所有電阻的總和。

串聯電阻對PSC電流密度-電壓曲線的影響

串聯電阻（Rs）：表示從光生載流子的產生到最終被外部電路收集的過程中遇到的所有電阻的總和。

并聯電阻（Rsh）：表示電池內部的漏電流路徑的電阻。

J-V曲線的影響：串聯電阻增加會導致J-V曲線的斜率增加，FF降低，Jsc下降。

工作溫度的影響

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工作溫度對電流密度-電壓（J-V）曲線的影響

開路電壓（Voc）：隨著溫度升高，Voc通常會降低。這是因為高溫增加載流子的熱激發(fā)，導致更多的載流子復合。

短路電流密度（Jsc）：溫度對Jsc的影響較小，但在高溫下，光吸收可能會略有變化，從而影響Jsc。

填充因子（FF）：高溫會降低FF，因為串聯電阻的影響會隨著溫度升高而加劇。

光電轉換效率（PCE）：綜合以上因素，高溫通常會導致PCE降低。

鈣鈦礦太陽能電池在全球能源需求日益增長的背景下，憑借其獨特的性能優(yōu)勢展現出巨大的發(fā)展?jié)摿Α１M管目前在效率提升、穩(wěn)定性優(yōu)化以及合成與商業(yè)化方面面臨諸多挑戰(zhàn)。通過對光伏參數的深入研究和不斷優(yōu)化，如精確調控帶隙、合理選擇ETL和HTL材料、優(yōu)化各層厚度、降低缺陷密度、減少串聯電阻以及增強對溫度影響的適應性等，有望突破現有瓶頸。

美能鈣鈦礦膜厚測試儀

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美能鈣鈦礦膜厚測試儀利用光學干涉原理，通過分析薄膜表面反射光和薄膜與基底界面反射光相干涉形成的光譜，快速、連續(xù)監(jiān)測工業(yè)產線上各式薄膜的厚度以及光學常數，快速準確測量薄膜厚度、光學常數等信息。

膜厚測試范圍：20nm~2000nm

膜厚測試精度：±1nm

膜厚重復性測量精度：＜1%（100次連續(xù)測試）

在鈣鈦礦太陽能電池（PSC）的研發(fā)與生產過程中，精確控制和測量鈣鈦礦層及其他功能層的厚度是確保器件性能的關鍵環(huán)節(jié)。美能鈣鈦礦膜厚測試儀憑借其高精度、高靈敏度和快速測量的特點，為科研人員和工程師提供了一種可靠且高效的解決方案。

原文參考：Photovoltaic Parameters Affecting the Efficiency and Stability of Perovskite Photovoltaic Devices

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