非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足特定的功能需求和提高系統(tǒng)的可靠性與便捷性，如存儲(chǔ)配置信息、快速啟動(dòng)、減少外部組件、用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、存儲(chǔ)固件版本等，一些芯片中也會(huì)集成非易事性存儲(chǔ)模塊。

為了評(píng)估它們的存儲(chǔ)能力可靠性，AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)中針對(duì)這兩類芯片提出了特定可靠性測(cè)試要求——非易失性耐久、數(shù)據(jù)保持和工作壽命，參考子標(biāo)準(zhǔn)為AEC Q100-005，主要考察三部分能力：

1不出現(xiàn)故障的情況下承受重復(fù)的數(shù)據(jù)更改（編程/擦除耐久性）

2在非易失性存儲(chǔ)器預(yù)期壽命期間保留數(shù)據(jù)（數(shù)據(jù)保持）

3施加電偏壓的情況下承受恒定溫度（工作壽命）

測(cè)試程序

包含非易失性存儲(chǔ)器（NVM）的器件在進(jìn)行高溫?cái)?shù)據(jù)保持（HTDR）、高溫操作壽命（HTOL）和低溫?cái)?shù)據(jù)保持（LTDR）測(cè)試之前，應(yīng)首先通過(guò)編程/擦除耐久性測(cè)試進(jìn)行預(yù)處理。

Ⅰ.循環(huán)擦寫(xiě)讀程序

器件應(yīng)按照器件規(guī)格說(shuō)明書(shū)中規(guī)定的最小循環(huán)次數(shù)進(jìn)行編程/擦除耐久性循環(huán)測(cè)試。耐久性測(cè)試應(yīng)在下述溫度和循環(huán)頻率的條件下進(jìn)行：

a器件應(yīng)按照器件規(guī)格說(shuō)明書(shū)中規(guī)定的最小循環(huán)次數(shù)進(jìn)行編程/擦除耐久性循環(huán)測(cè)試。耐久性測(cè)試應(yīng)在下述溫度和循環(huán)頻率的條件下進(jìn)行：

1高溫循環(huán)

循環(huán)測(cè)試應(yīng)在溫度T ≥ 85°C的條件下進(jìn)行，總循環(huán)時(shí)間不得超過(guò)加速產(chǎn)品壽命的15%。

循環(huán)之間或循環(huán)組之間的延遲是允許的，只要延遲在整個(gè)循環(huán)期間均勻分布，且包括延遲在內(nèi)的總循環(huán)時(shí)間不超過(guò)上述規(guī)定。

2低溫循環(huán)

循環(huán)測(cè)試應(yīng)在溫度T ≤ 55°C的條件下進(jìn)行。

循環(huán)之間或循環(huán)組之間的延遲是允許的，只要延遲在整個(gè)循環(huán)期間均勻分布，且包括延遲在內(nèi)的總循環(huán)時(shí)間不超過(guò)產(chǎn)品壽命的15%。

b循環(huán)測(cè)試應(yīng)連續(xù)進(jìn)行，一個(gè)循環(huán)定義為從一種狀態(tài)過(guò)渡到另一種狀態(tài)，然后再回到原始狀態(tài)（即，在存儲(chǔ)器陣列的所有位單元中，從“1”變?yōu)椤?”，再變回“1”；或從“0”變?yōu)椤?”，再變回“0”）。在耐久性測(cè)試期間，每個(gè)編程和擦除操作都必須經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，確認(rèn)已成功完成，并通過(guò)讀取操作驗(yàn)證預(yù)期的數(shù)據(jù)狀態(tài)。

c完成指定次數(shù)的編程/擦除循環(huán)后，按照器件規(guī)格說(shuō)明書(shū)的要求驗(yàn)證功能。

Ⅱ.循環(huán)后高溫?cái)?shù)據(jù)保持（HTDR）程序

按照第2.1節(jié)在高溫下循環(huán)的單元，應(yīng)根據(jù)其規(guī)定的等級(jí)和預(yù)期的用戶指定任務(wù)剖面，進(jìn)行高溫?cái)?shù)據(jù)保持測(cè)試（HTDR）。

Ⅲ.循環(huán)后低溫?cái)?shù)據(jù)保持（LTDR）程序

按照第2.1節(jié)在低溫下循環(huán)的單位，應(yīng)在最高55°C下進(jìn)行至少1000小時(shí)的存儲(chǔ)。

Ⅳ.高溫操作壽命（HTOL）程序

嵌入式和獨(dú)立式NVM器件應(yīng)根據(jù)AEC-Q100表2進(jìn)行高溫操作壽命（HTOL）測(cè)試，使用符合或超過(guò)器件指定操作溫度等級(jí)HTOL要求的溫度和持續(xù)時(shí)間條件。在測(cè)試期間，應(yīng)訪問(wèn)NVM陣列中的所有地址（讀?。┮赃_(dá)到最大可能的讀取次數(shù)（根據(jù)AEC-Q100測(cè)試B3），同時(shí)不影響邏輯電路的HTOL測(cè)試（根據(jù)AEC-Q100測(cè)試B1）。否則，應(yīng)對(duì)NVM和邏輯存儲(chǔ)塊分別進(jìn)行HTOL測(cè)試。在測(cè)試期間，對(duì)于嵌入式閃存微處理器，必須以全速連續(xù)執(zhí)行完整的存儲(chǔ)器陣列校驗(yàn)和（即“位翻轉(zhuǎn)”）測(cè)試。經(jīng)供應(yīng)商和客戶同意后，獨(dú)立式閃存（離散式）可免除此校驗(yàn)和要求。

Ⅴ.測(cè)試注意事項(xiàng)

應(yīng)采取預(yù)防措施，確保器件不會(huì)因器件或測(cè)試器的熱失控而損壞，并防止電氣損壞。

Ⅵ.測(cè)量

a電氣測(cè)量

電氣測(cè)量應(yīng)根據(jù)適用的器件規(guī)范在指定間隔進(jìn)行。中期和最終電氣測(cè)量應(yīng)在器件從規(guī)定的測(cè)試條件中移除后的96小時(shí)內(nèi)完成。

b所需測(cè)量

電氣測(cè)量應(yīng)包含適用器件規(guī)范中規(guī)定的參數(shù)和功能測(cè)試。

c測(cè)量條件

在將器件從測(cè)試室中取出之前，應(yīng)將環(huán)境溫度恢復(fù)到室溫，同時(shí)保持器件上的指定電壓。測(cè)試應(yīng)在典型條件下進(jìn)行，并根據(jù)部件規(guī)格和AEC-Q100第1.3.3節(jié)中列出的相應(yīng)部件等級(jí)，在溫度范圍內(nèi)的最低和最高溫度下進(jìn)行。

失效判據(jù)

如果參數(shù)限值超出范圍，器件不再滿足器件規(guī)范的要求，或者器件無(wú)法保持其預(yù)期的數(shù)據(jù)狀態(tài)，則將該器件定義為失效。在編程/擦除耐久性循環(huán)測(cè)試期間，如果寫(xiě)入或擦除事件未在規(guī)定的最大時(shí)間內(nèi)完成，或者事件完成但存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的數(shù)據(jù)模式與預(yù)期的數(shù)據(jù)模式不符，則視為失效。