PTM功率器件及電源芯片設計分析驗證

產品簡介

PTM是一款應用于功率器件和電源芯片的設計分析套件，支持高精度提取Rdson、驗證器件的開關行為，以此提高IC產品的可靠性和壽命，已獲得頂級IDM和設計公司的認可和采用。

PTM采用先進的3D求解器和簡潔易用的查看器，用戶可以輕松進行交叉關聯分析，并通過場景視圖直觀查看分析結果。

結合專有的邊緣基三維網格生成技術和64位數值求解器，PTM能夠精確地計算金屬、多晶互連和過孔的非均勻電流分布，并利用仿真鍵合線精確提取大功率晶體管陣列的Rdson。

PTM還可協助展示版圖的電流密度、電遷移違規問題，其中電流密度和電壓分布可通過2D或橫切部面圖形式呈現。設計師可通過局部增加網格密度提高精度，并充分掌控終端布局與激勵情況，搭配電壓控制電壓源(VCVS)的測試臺，以輔助高精度傳感器件設計。

同時，PTM支持功率器件Die、Package和PCB的協同設計，以實現系統最佳熱性能，滿足電熱需求，并避免過度設計或封裝成本的大幅增加。

產品優勢

高精提取

·支持高精度提取和優化Rdson

高效驗證

·仿真、驗證器件中的電遷移問題、IR drop問題和門級延遲問題

大容量&高速

·支持大容量、高速仿真

功能強大

·確保器件可靠性和使用壽命技術規格

技術先進

·領先的結構“全角度”網格生成器和高精準3D場求解技術

系統集成

·支持功率器件Die/Package/PCB協同設計

用戶友好

·直觀的圖形用戶界面，易于設置和使用

技術規格

·Rdson提取

-模擬功率器件布局以降低Rdson

-通過檢查電流密度/電遷移確?？煽啃?/p>

·Gate Delay驗證分析

-模擬功率晶體管gate net傳播延遲

-使用gate net分布式模型

-提取金屬和聚合物線路電阻

-以分布式方式對活性區的電容建模

-用戶可選擇分布式模型中的分段數量

·電熱驗證分析

-芯片/封裝級3D熱電耦合和可靠性分析

-計算金屬和活性區的動態電流和焦耳自加熱

-對芯片和封裝中的熱控分布進行建模

-支持熱規劃

·支持非線性溫度相關模型

-3D求解器自洽求解電和熱方程

-硅精準

-支持GDSII導入

產品應用

·數?；旌瞎β势骷O計

·汽車功率器件設計

·PMIC開關電源功率器件設計

·DC-DC轉換器功率器件設計

·高壓開關功率器件設計

·大型數字芯片片上電源管理優化

·功率器件Die/Package/PCB協同設計

應用實例

IR drop/電壓驗證分析

電流密度驗證分析

Gate Delay驗證分析

電熱驗證分析