ADL8100是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、寬帶低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為0.01 GHz至20 GHz。ADL8100在0.01 GHz至6 GHz范圍內(nèi)提供20 dB典型增益,在6 GHz至14 GHz范圍內(nèi)提供2.5 dB典型噪聲系數(shù),在0.01 GHz至6 GHz范圍內(nèi)提供38 dBm典型輸出三階交調(diào)點(diǎn)(OIP3),采用5 V電源電壓時(shí)功耗僅為220 mA。可通過犧牲OIP3和輸出功率來降低功耗。ADL8100還具有內(nèi)部匹配50Ω的直流耦合輸入和輸出。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,0.01 GHz至20 GHz技術(shù)手冊(cè).pdf
ADL8100采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的2 mm × 2 mm、8引腳LFCSP封裝。
特性
- 低噪聲系數(shù):2.5 dB(典型值,6 GHz至14 GHz時(shí))
- 單正電源(自偏置)
- 高增益:20 dB(典型值,0.01 GHz至6 GHz)
- 高OIP3:38 dBm(典型值,0.01 GHz至6 GHz)
- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的2 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝
引腳配置和功能描述
接口示意圖
典型特性
簡(jiǎn)易框圖
典型應(yīng)用
應(yīng)用
- 衛(wèi)星通信
- 電信
- 民用雷達(dá)
- 軍用雷達(dá)
- 氣象雷達(dá)
- 電子戰(zhàn)
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