ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，0.01GHz至20GHz技術手冊

概述
ADL8100是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、寬帶低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為0.01 GHz至20 GHz。ADL8100在0.01 GHz至6 GHz范圍內提供20 dB典型增益，在6 GHz至14 GHz范圍內提供2.5 dB典型噪聲系數，在0.01 GHz至6 GHz范圍內提供38 dBm典型輸出三階交調點(OIP3)，采用5 V電源電壓時功耗僅為220 mA。可通過犧牲OIP3和輸出功率來降低功耗。ADL8100還具有內部匹配50Ω的直流耦合輸入和輸出。
ADL8100采用符合RoHS標準的2 mm × 2 mm、8引腳LFCSP封裝。
數據表：*附件：ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，0.01GHz至20GHz技術手冊.pdf

應用

衛星通信
電信
民用雷達
軍用雷達
氣象雷達
電子戰

特性

低噪聲系數：2.5 dB（典型值，6 GHz至14 GHz時）
單正電源（自偏置）
高增益：20 dB（典型值，0.01 GHz至6 GHz）
高OIP3：38 dBm（典型值，0.01 GHz至6 GHz）
符合RoHS標準的2 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADL8100是一款GaAs、MMIC、pHEMT、寬帶LNA。圖104顯示了一個簡化框圖。RFIN和RFOUTpins引腳DC耦合，匹配至50歐姆。ADL8100采用單電源供電，IDo通過在RBIAS引腳與外部電源電壓之間連接一個電阻來設置。漏極偏置電壓通常由外部偏置三通提供。

操作ADL8100的基本連接如圖105所示。偏置電流通過在RBIAS和VDD引腳之間連接一個電阻來設置。使用5 V VDD時，建議使用560±2(R1)的電阻值，以實現220 mA的lpg。表9詳細列出了不同RBIAs值下的IDo，其中電阻連接到5 V。
漏極電壓通過外部連接的偏置三通(Marki BT-0040)施加于VDD引腳。有關該電路的更多信息，請參考EVAL-ADL8100用戶指南。