概述
ADH941S 是一款寬帶 5 位 GaAs IC 數字衰減器，以裸片形式提供，附帶 K 級元件評估。 覆蓋 0.1 到 30.0 GHz，在 30.0 GHz 時插入損耗小于 4.4 dB 典型值。衰減器位值為 0.5 (LSB)、1、2、4、8，總衰減為 15.5 dB。IIP3 為 +45 dBm 時，衰減精度非常好，典型步進誤差小于 ±0.5 dB。

ADH941S 需要雙電源電壓 Vdd = +5 V 和 Vss = -5V，以及五個控制電壓輸入，在 +5V 和 0V 之間切換以選擇每個衰減狀態。
數據表：*附件：ADH941S航空航天0.1GHz到30 GHz、GaAs、MMIC、5位0.5 dB LSB、數字衰減器技術手冊.pdf

應用

• 軍用&航空航天
• 收發器
• 測試設備 & 傳感器

特性

• 0.5 dB LSB 步進為 15.5 dB
• 每位單一正向控制線
• 插入損耗：30 GHz 時為 4.4 dB（典型值）
• 出色衰減精度
• ±0.5 dB 典型位錯誤
• 高輸入 IP3：+45 dBm
• 功率處理能力：+27 dBm
• 雙電源供電：± 5 V

模具圖片

焊盤描述

應用說明

圖1為組裝示意圖。芯片應通過共晶方式或導電環氧樹脂直接連接至接地層。推薦使用在0.127毫米（5密耳）厚氧化鋁薄膜襯底上的50Ω微帶傳輸線，用于芯片射頻信號的輸入輸出（見圖2）。若必須使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，芯片需抬高0.15毫米（6密耳），使芯片表面與襯底表面共面。一種實現方式是將0.102毫米（4密耳）厚的芯片連接到0.150毫米（6密耳）厚的鉬散熱片（鉬片）上，再將其連接至接地層（見圖3）。微帶傳輸線應盡量靠近芯片，以縮短鍵合線長度。芯片與襯底的典型間距為0.076毫米至0.152毫米（3至6密耳）。