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BLDC驅動必修課:為何現代MOSFET驅動IC偏愛“上高下高”邏輯???

張飛實戰電子官方 ? 2025-06-13 10:07 ? 次閱讀

在無刷直流(BLDC電機控制系統中,6路PWM信號精準控制上下橋MOSFET的開關是核心。你是否注意到,驅動IC對PWM高低電平有效性的配置,經歷了從“上高下低”到“上高下高”的顯著轉變?這背后不僅僅是邏輯定義的不同,更是技術與可靠性的進化。今天,我們就來揭秘這兩種PWM配置邏輯的本質與選擇依據。

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圖:三相BLDC換相電路示意

一PWM控制基礎:理解“有效電平”


驅動IC的核心任務之一,是將來自MCU的低功率PWM信號“翻譯”成足以驅動MOSFET柵極的強信號。關鍵點在于,它需要明確定義PWM信號何種電平代表開啟對應的MOSFET。

  1. “上高下高” (Active High for Both):
  1. 定義: 無論是上橋臂還是下橋臂MOSFET,其對應的PWM輸入高電平代表開啟指令;低電平代表關閉指令。
  2. 示意: 上橋PWM: 高電平 -> 上MOS管ON 下橋PWM: 高電平 -> 下MOS管ON 兩者低電平 -> 對應MOS管OFF
  3. 核心要求: 絕不允許 同一相的上下橋PWM 同時為高電平,否則會造成可怕的直通短路(Shoot-Through),瞬間燒毀MOSFET!
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圖:以屹晶微的EG2132為例,是典型的上高下高控制

2.“上高下低” (Active High for Top, Active Low for Bottom):

  1. 定義: 上橋臂MOSFET對應的PWM輸入,高電平代表開啟;下橋臂MOSFET對應的PWM輸入,低電平代表開啟(相當于“有效低”)。
  2. 示意: 上橋PWM: 高電平 -> 上MOS管ON 下橋PWM:低電平-> 下MOS管ON (注意這里是低電平有效!) 上橋低電平且下橋高電平 -> 對應MOS管OFF
  3. 核心要求: 絕不允許 同一相的PWM出現 上橋為高、下橋為低 的組合,這也是導致直通短路的致命組合!
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圖:以屹晶微的EG2103為例,是典型的上高下低控制


二永恒不變的鐵律:嚴防死守“直通”


無論采用哪種邏輯配置,防止同一相的上下橋MOSFET同時導通是設計驅動的核心死命令。這是所有驅動IC設計中優先級最高的任務?,F代驅動IC通常具備以下關鍵保護機制:

  • 集成死區時間控制 (Integrated Dead Time): 確保在上下橋切換的瞬間,預留一段兩者都關閉的安全時間,徹底杜絕因開關延遲導致的瞬態直通。
  • 高級防護電路: 針對可能引起意外導通的現象(如MOSFET關斷時柵極的電壓振鈴Ring、柵極承受過大的負壓dv/dt等),內置防護電路,大幅提升系統魯棒性。
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圖:以屹晶微的EG2132的真值表為例


三歷史的烙?。簽楹卧恰吧细呦碌汀钡奶煜??


回顧早期BLDC驅動方案,驅動IC的集成度、工藝水平和內部邏輯復雜度有限。想要在外部可靠地實現防止上高下低(即上橋高+下橋低)同時出現的直通組合,硬件邏輯上有一個“巧妙”的解決方案:使用簡單的與非門電路(NAND gate)。2002f760-47fb-11f0-986f-92fbcf53809c.png圖:約20年前的無刷電機控制系統框圖,可見其復雜

  • “上高下低”的硬件優勢: 對于下橋臂“低電平有效”的設計,將下橋的PWM輸入信號取反后再控制MOSFET,其邏輯恰好可以通過一個簡單的與非門實現。這種方案在當時硬件資源受限的情況下,成本低、實現相對簡單、可靠性滿足基本要求,因此“上高下低”邏輯成為了早期驅動設計的主流選擇。


四時代的進步:為何現在主流是“上高下高”?


技術的洪流滾滾向前。現代柵極驅動IC的制造工藝、集成能力和設計復雜度已經今非昔比。內部的數字邏輯、高精度死區控制、先進保護功能都高度集成化。在這種背景下,“上高下高”邏輯的優勢被充分發揮,逐漸成為新設計的首選:

  1. 更高的抗干擾能力: “上高下低”要求MCU對下橋PWM輸出低電平作為有效開啟信號。在復雜的電磁環境中,低電平信號更容易受到干擾,誤觸發MOSFET開啟的風險略高。而“上高下高”的開啟都是高電平,干擾使其達到有效門檻的可能性相對較低。
  2. 更符合直覺的邏輯: “高電平開啟”對于大多數工程師來說,是更自然、更符合直覺的邏輯定義方式(比如繼電器的控制、普通GPIO點亮LED等)。設計理解和代碼編寫更容易,降低人為錯誤的可能性?!吧细呦碌汀钡幕旌线壿嫞ㄉ蠘蚋哂行В聵虻陀行В﹦t需要額外的思維轉換,增加認知負擔。
  3. 上下電狀態更可靠: MCU在啟動或復位時,IO口往往處于默認的低電平或高阻態?!吧细呦赂摺边壿嬒?,這種默認狀態會自然地關閉所有MOSFET,帶來更高的上電安全性。而對于“上高下低”邏輯,MCU的下橋口在默認輸出低電平(或某些配置下的狀態)時,可能就對應于下橋MOSFET的意外開啟狀態,存在一定風險。
  4. 簡化接口設計: 隨著驅動IC集成度提高,復雜的防直通邏輯都放在了IC內部,不需要再依賴外部的邏輯門電路。工程師只需關注“輸出高代表開啟”這一統一指令即可,接口設計更簡潔。


五總結:可靠性至上的選擇


驅動IC中PWM邏輯從“上高下低”到“上高下高”的演變,清晰地展現了技術升級的路徑:從早期依賴外部邏輯應對資源限制的“權宜之計”,發展到依托高度集成化IC實現內在邏輯優化和可靠性提升的“最優解”。現代“上高下高”配置憑借其優異的抗干擾性能、符合直覺的接口、更高的上下電安全性,以及對驅動IC先進內建保護機制的完美契合,成為了當今高性能、高可靠性BLDC控制系統設計的首選邏輯方案。工程師小貼士: 在選用驅動IC設計新系統時,務必查閱數據手冊,明確其上下橋輸入的有效電平定義!多數現代芯片已默認采用“上高下高”邏輯。了解這一趨勢,有助于你做出更符合時代、更可靠的系統設計決策。

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