The TPS650830 是專(zhuān)為最新 Intel 處理器設(shè)計(jì)的單芯片解決方案電源管理 IC 面向具有 NVDC 或非 NVDC 電源架構(gòu)的平板電腦、超極本和筆記本電腦,使用 2S、3S 或 4S 鋰離子電池組。
TPS650830 用于 Volume 系統(tǒng),其中 電壓軌合并,可實(shí)現(xiàn)最小占用空間和最低成本的系統(tǒng)電源解決方案。
*附件:tps650830.pdf
The TPS650830 可以提供完整的電源解決方案,基于 英特爾參考設(shè)計(jì)。5 個(gè)高效降壓穩(wěn)壓器 (VR) 和一個(gè)灌電流/拉電流 LDO 與管理外部負(fù)載開(kāi)關(guān)的上電順序邏輯一起使用,以提供 適當(dāng)?shù)碾娫窜墶⑴判蚝捅Wo(hù) - 包括 DDR3 和 DDR4 內(nèi)存電源。這 穩(wěn)壓器支持動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié) (DVS) 以實(shí)現(xiàn)最高效率,包括 Connected 待機(jī)。高頻穩(wěn)壓器使用小型電感和電容器來(lái)實(shí)現(xiàn) 解決方案尺寸小。輸出功率可在四個(gè) VR 控制器上調(diào)節(jié)。一 我^2^C 接口允許通過(guò)嵌入式控制器 (EC) 進(jìn)行簡(jiǎn)單控制。 每個(gè)版本都提供 7x7 NFBGA 封裝和 9x9 NFBGA 封裝 包。7x7 NFBGA 封裝可用于 4 型 PCB 板,占地面積最小 實(shí)現(xiàn)。 9x9 NFBGA 封裝可用于 3 型和 4 型 PCB 板,從而最大限度地降低成本和 面積。
對(duì)于 Skylake 和 Kabylake Power Map 實(shí)現(xiàn)時(shí),五個(gè) PMIC 穩(wěn)壓器和 LDO1 被分配有 低壓軌根據(jù)配置合并或拆分。 對(duì)于 Volume (merged low voltage rails) 配置 6 個(gè)外部負(fù)載開(kāi)關(guān)使用 6 個(gè) PowerGood 比較器邏輯進(jìn)行控制和監(jiān)控 集團(tuán)。
特性
- 5 個(gè)可重新配置的穩(wěn)壓器:
- 在寬輸入電壓和
寬輸出電流范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率 - 可以
更改電壓、電流和時(shí)序以?xún)?yōu)化系統(tǒng) - 4 個(gè)使用外部功率 MOSFET 的可變輸出電壓降壓控制器:
- VR1 = 1 V;VR3 = 3.3 V,VR4 = 1.2 V/1.35
V/1.1 V(對(duì)于 DDRx VDDQ),VR5 = 5 V - V
在范圍為 5.4 V 至 24 V
- VR1 = 1 V;VR3 = 3.3 V,VR4 = 1.2 V/1.35
- 1 個(gè)具有內(nèi)部功率 MOSFET 的可變輸出電壓降壓轉(zhuǎn)換器:
- VR2 = 1.8 伏
- V
在范圍為 3 V 至 3.6 V - 高達(dá) 2 A 的連續(xù)輸出電流
- 輸出電壓直流精度 ±1%;具有
差分輸出電壓感應(yīng)功能 - 超低靜態(tài)電流模式,每個(gè)控制器或
轉(zhuǎn)換器的典型靜態(tài)電流為 30μA
- 在寬輸入電壓和
- 3 個(gè)固定 LDO 穩(wěn)壓器:
- 7 個(gè) Powergood 比較器和時(shí)序邏輯
,用于外部穩(wěn)壓器、
負(fù)載開(kāi)關(guān)或 LDO - 支持可編程響應(yīng)時(shí)間的
電源按鈕邏輯 - 3 個(gè)通用電平轉(zhuǎn)換器
- 備用電池/用于 RTC 的
3.1V LDO 選擇器輸出 - 電源檢測(cè)和監(jiān)控:適配器、
電池 1、電池 2 - 電路板溫度監(jiān)控
- 1Hz EC 喚醒時(shí)鐘輸出
- 高級(jí)系統(tǒng)重置控制
- 我^2^C 接口:標(biāo)準(zhǔn)模式 (100 kHz)、快速模式 (400 kHz)、快速模式 Plus (1000 kHz)
參數(shù)
方框圖
1. 產(chǎn)品概述
- ?產(chǎn)品名稱(chēng)?:TPS650830
- ?類(lèi)型?:?jiǎn)涡酒娫垂芾鞩C(PMIC)
- ?應(yīng)用?:專(zhuān)為Intel處理器設(shè)計(jì)的電源管理解決方案,適用于平板電腦、超極本和筆記本電腦,支持NVDC或非NVDC電源架構(gòu)。
- ?特點(diǎn)?:
- 5個(gè)可重構(gòu)電壓調(diào)節(jié)器
- 4個(gè)可變輸出電壓降壓控制器
- I2C接口
- 高效的寬輸入電壓范圍
2. 主要特性
- ?電壓調(diào)節(jié)器?:
- VR1至VR5:高效降壓電壓調(diào)節(jié)器,支持寬輸入電壓和寬輸出電流范圍,電壓、電流和序列可配置以?xún)?yōu)化系統(tǒng)。
- VR4支持DDRx VDDQ的多種輸出電壓(1.2V, 1.35V, 1.1V)。
- ?LDO?:一個(gè)源/匯LDO,用于DDR內(nèi)存VTT電源。
- ?電源管理?:包括電源上電序列邏輯,管理外部負(fù)載開(kāi)關(guān),提供適當(dāng)?shù)碾娫窜墶⑴判蚝捅Wo(hù)。
- ? 動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)(DVS) ?:支持連接待機(jī)模式,通過(guò)降低非活動(dòng)期間的電壓來(lái)節(jié)省系統(tǒng)功耗。
3. 功能描述
- ?I2C接口?:支持標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps)和快速模式(400kbps),允許嵌入式控制器簡(jiǎn)單控制。
- ?電源良好(Powergood)比較器邏輯?:控制和監(jiān)測(cè)多達(dá)8個(gè)外部負(fù)載開(kāi)關(guān),所有VR和負(fù)載開(kāi)關(guān)的Powergood信號(hào)均用于Powergood樹(shù)。
- ?保護(hù)特性?:包括短路保護(hù)、電流限制、輸入欠壓鎖定(UVLO)、熱警告和關(guān)斷功能。
- ?熱監(jiān)測(cè)?:通過(guò)溫度比較器監(jiān)測(cè)過(guò)溫情況,輸出狀態(tài)信號(hào)。
4. 封裝與尺寸
- ?封裝類(lèi)型?:NFBGA(無(wú)鉛球柵陣列)
- ?尺寸?:
- 7x7mm,168引腳
- 9x9mm,159引腳
5. 應(yīng)用信息
- ?設(shè)計(jì)要求?:詳細(xì)說(shuō)明了TPS650830在Intel Skylake和Kabylake平臺(tái)上的應(yīng)用要求,包括電壓軌、輸出電壓、負(fù)載電流等。
- ?典型應(yīng)用?:提供了系統(tǒng)框圖和詳細(xì)的電源設(shè)計(jì)步驟,包括電感、輸出電容、FET、自舉電容的選擇,以及電流限制的設(shè)置。
6. 布局指南
- ?布局原則?:強(qiáng)調(diào)了布局對(duì)開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)定性和EMI性能的重要性,提供了布局檢查清單和布局示例。
- ?熱考慮?:提供了改善PCB散熱能力的建議。
7. 文檔與支持
- ?相關(guān)文檔?:包括數(shù)據(jù)手冊(cè)、設(shè)計(jì)指南、布局檢查清單等。
- ?社區(qū)資源?:TI的E2E支持論壇提供快速的技術(shù)支持和設(shè)計(jì)幫助。
8. 訂購(gòu)信息
- ?產(chǎn)品狀態(tài)?:活躍產(chǎn)品,推薦用于新設(shè)計(jì)。
- ?包裝選項(xiàng)?:提供不同數(shù)量和環(huán)保選項(xiàng)的包裝。
9. 注意事項(xiàng)
-
鋰離子電池
+關(guān)注
關(guān)注
85文章
3282瀏覽量
78516 -
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
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232734 -
單芯片
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
445瀏覽量
34987 -
電源管理IC
+關(guān)注
關(guān)注
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281瀏覽量
19871
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