該器件是集成 FET 的同步降壓穩壓器,主要設計 用于 DDR 終止。它可以提供 1/2 V 的穩壓輸出DDQ具有 Sink 和 Source 功能。該設備采用 D-CAP+ 模式作 提供易用性、低外部元件數量和快速瞬態 響應。該器件還可用于其他負載點 (POL) 調節 需要高達 6 A 電流的應用。此外,該器件還支持全 6-A、 輸出灌電流能力,具有嚴格的電壓調節。
*附件:tps53317.pdf
該器件具有兩種開關頻率設置(600 kHz 和 1 MHz), 集成 Droop 支持、外部跟蹤功能、預偏置啟動、 輸出軟放電、集成自舉開關、電源良好功能、V5IN 引腳 UVLO 保護,并支持陶瓷和 SP/POSCAP 電容器。它 支持高達 6.0 V 的輸入電壓,輸出電壓可在 至 2.0 伏
該器件采用 3.5 mm × 4 mm、20 引腳 VQFN 封裝(綠色 符合 RoHs 標準且無鉛),采用 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝 技術,額定溫度范圍為 –40°C 至 85°C。
特性
- TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術
- 支持具有高達 6A 連續輸出拉電流或灌電流的 DDR 存儲器終端
- 外部跟蹤
- 最少的外部元件數量
- 至 6V 轉換電壓
- D-CAP+ 模式架構
- 支持所有 MLCC 輸出電容器和 SP/POSCAP
- 可選 SKIP 模式或強制 CCM
- 優化輕負載和重負載下的效率
- 可選 600kHz 或 1MHz 開關頻率
- 可選過流限制 (OCL)
- 過壓、過熱和打嗝欠壓保護
- 可調輸出電壓:低至 2 V
- 3.5 mm × 4 mm、20 引腳 VQFN 封裝
參數
方框圖
1. 產品概述
- ?型號?:TPS53317
- ?類型?:6-A輸出,D-CAP+模式,同步降壓轉換器
- ?應用?:主要用于DDR內存終端,也適用于其他需要1-V至6-V轉換電壓調節的應用,最大負載電流可達6A
2. 主要特性
- ?集成MOSFET?:采用TI專有集成MOSFET和封裝技術
- ?D-CAP+模式?:提供易用性、低外部組件數量和快速瞬態響應
- ?支持DDR內存終端?:具有源和匯能力
- ?轉換電壓范圍?:1-V至6-V
- ?輸出電流?:連續輸出源或匯電流高達6A
- ?開關頻率?:可選600kHz或1MHz
- ?保護功能?:過壓、過溫、打嗝式欠壓保護
- ?封裝?:3.5mm x 4mm,20引腳VQFN封裝(綠色RoHS合規)
3. 引腳配置與功能
- ?VIN?:電源輸入引腳
- ?VOUT?:輸出電壓監測引腳
- ?EN?:使能引腳(3.3-V邏輯兼容)
- ?MODE?:模式選擇引腳,允許選擇不同的操作模式
- ?PGOOD?:開漏電源良好輸出
- ?REFIN?:外部跟蹤參考輸入
- ?V5IN?:5-V電源輸入,用于模擬電路和門驅動
- ?BST?:自舉引腳,連接0.1-μF自舉電容
- ?COMP?:補償引腳,連接R-C-C網絡進行環路補償
- ?SW?:開關節點輸出
- ?GND?:模擬地
- ?PGND?:功率地
4. 電氣特性
- ?輸入電壓范圍?:VIN為-0.1V至6.5V,V5IN為4.5V至6.5V
- ?輸出電壓范圍?:VOUT、MODE、REFIN為-0.1V至3.5V
- ?工作溫度范圍?:-40°C至85°C
- ?效率?:在不同輸入電壓和輸出電流下,效率可達90%以上
- ?過流限制?:正過流限制(OCL)為7.6A或5.4A(取決于模式選擇),負OCL為-9.3A或-6.5A
- ?軟啟動時間?:默認設置為1.6ms
5. 功能描述
- ?PWM操作?:在穩態下,轉換器以連續導通模式(CCM)操作,通過電流反饋和誤差放大器輸出控制開關時間
- ?自適應導通時間控制?:控制器根據輸入和輸出電壓變化導通時間,以保持近似恒定的頻率
- ?輕載省電功能?:自動脈沖跳過模式,減少輕載時的開關損失,提高效率
- ?電源良好信號?:PGOOD引腳在輸出電壓穩定后變為高電平,用于指示電源正常
- ?過壓和欠壓保護?:防止輸出電壓過高或過低,保護系統電子元件
- ?熱保護?:內部溫度傳感器在結溫達到145°C時關斷轉換器,防止過熱損壞
6. 應用與實施
- ?配置選擇?:支持非跟蹤和跟蹤配置,非跟蹤配置下輸出電壓由內部參考電壓分壓得到,跟蹤配置下輸出電壓由外部REFIN引腳決定
- ?設計步驟?:包括確定配置、選擇電感、確定輸出電容、輸入電容、補償網絡設計等
- ?布局指南?:提供詳細的布局指南,包括旁路電容的放置、功率地的連接、反饋和補償組件的放置等
7. 封裝與訂購信息
- ?封裝類型?:20引腳VQFN封裝,尺寸為3.5mm x 4mm
- ?訂購信息?:提供了詳細的訂購信息和包裝材料信息
8. 注意事項
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電流
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