在功率器件快速發展的當下，如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋，成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統化設計能力，為工業逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅動力。

產品型號：LKB50N120MF1M

產品特點

先進工藝，性能優越

本款IGBT采用Field Stop Trench技術平臺，結合優化的溝槽柵結構，有效降低導通損耗和開關損耗，兼具高速開關能力與寬安全工作區（SOA），特別適用于高頻工作環境下的系統應用，為客戶帶來更高的系統效率與運行可靠性。

優異的電性能指標

·集電極-發射極電壓（Vce）：1200V

·額定電流（Ic）：50A

·最大功耗（Pd）：399W @ 25°C

·飽和壓降Vce(sat)：典型值1.85V @ 25°C

·關斷損耗Eoff：典型值 1.86mJ @ 25°C

完善的熱/電特性曲線

從輸出特性、開關損耗到結溫限制，該器件在設計初期就充分考慮了客戶實際應用工況的匹配需求，具備出色的熱穩定性與抗沖擊能力。

該款1200V IGBT特別適用于

1.UPS與數據中心電源

2.電焊機與感應加熱設備

3.光伏與儲能逆變器

4.電動車DC-AC/DC-DC變換