TPS23521 是一種高性能熱插拔,使高功率電信系統(tǒng)能夠滿足嚴格的瞬態(tài)要求。200V 的絕對最大額定值使其更容易通過雷電浪涌測試 (IEC61000-4-5)。軟啟動電容斷開允許通過限制浪涌電流來使用更小的熱插拔 FET,而不會損害瞬態(tài)響應(yīng)。雙熱插拔柵極驅(qū)動器可在需要多個熱插拔 FET 的高功率應(yīng)用中節(jié)省空間和 BOM 成本。400μA 拉電流允許快速恢復(fù),這有助于避免雷擊浪涌測試期間的系統(tǒng)復(fù)位。雙電流限制使其更容易傳遞欠壓和輸入步驟,例如 ATIS 0600315.2013 的要求。最后,它提供精確的欠壓和過壓保護,具有可編程閾值和遲滯。
*附件:tps23521.pdf
特性
- -10V 至 -80V 直流工作電壓,-200V 絕對最大值
- 軟啟動電容斷開
- 雙通道熱插拔柵極驅(qū)動
- 400μA 柵極源電流
- 雙電流限制(基于 V
DS 系列)- 低 V 時為 25 mV ±4%
DS 系列 - 高 V 時為 3 mV ±25%
DS 系列
- 低 V 時為 25 mV ±4%
- 可編程 UV(±1.5%)和 OV (±2%)
- 可編程遲滯 (±11%)
- 超時后重試
- 16 引腳 TSSOP 封裝
參數(shù)
方框圖
1. 產(chǎn)品概述
2. 主要特性
- ?工作電壓范圍?:-10V至-80V DC,絕對最大值為-200V
- ?軟啟動電容斷開?:限制涌入電流,允許使用更小的熱插拔FET
- ?雙熱插拔門驅(qū)動?:節(jié)省空間和BOM成本
- ?400μA門源電流?:快速恢復(fù),避免系統(tǒng)重置
- ?雙電流限制?:基于VDS,低VDS時為25mV±4%,高VDS時為3mV±25%
- ?可編程欠壓(±1.5%)和過壓(±2%)保護?
- ?可編程滯回?:±11%
- ?重試超時功能?
- ?16引腳TSSOP封裝?
3. 功能描述
- ?電流限制?:具有兩個電流限制閾值(I_CL1和I_CL2),根據(jù)VDS自動切換,以保護MOSFET。
- ?軟啟動斷開?:在啟動時連接SS引腳以限制涌入電流,正常操作時斷開以避免干擾。
- ?定時器?:管理MOSFET中的應(yīng)力水平,防止過熱損壞。
- ?GATE2?:第二熱插拔FET驅(qū)動,僅在主FET完全導(dǎo)通時導(dǎo)通,降低輔助FET的SOA要求。
- ?欠壓和過壓保護?:具有可編程閾值和滯回,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
4. 設(shè)備功能模式
- ?關(guān)閉狀態(tài)?:熱插拔FET關(guān)閉,等待啟動。
- ?插入延遲狀態(tài)?:熱插拔FET關(guān)閉,等待插入延遲完成。
- ?啟動狀態(tài)?:控制器啟動并充電輸出電容。
- ?正常操作狀態(tài)?:熱插拔完全導(dǎo)通,負載可以拉取全功率。
5. 應(yīng)用信息
- ?設(shè)計考慮?:包括啟動、熱插拔輸出短路到地、啟動到短路、輸入雷擊浪涌等關(guān)鍵場景。
- ?詳細設(shè)計步驟?:包括選擇感測電阻、軟啟動設(shè)置、VDS切換閾值、定時器選擇、MOSFET選擇和SOA檢查等。
6. 典型應(yīng)用
- 提供了典型應(yīng)用電路圖和設(shè)計要求,包括輸入電壓范圍、最大負載功率、輸出電容等。
7. 電源供應(yīng)建議
- 推薦從非理想-48V總線進行魯棒操作,考慮各種瞬態(tài)情況,如雷擊浪涌。
- 如果預(yù)期在啟動時存在大輸入紋波,建議增加C_SS,VEE與C_SS的比率以減少輸入電流紋波。
8. 布局指南
- VEE和SNS引腳需要與感測電阻進行開爾文連接。
- VEE跡線需要短而粗,以最小化IR降并避免引入電流感測誤差。
- 連接UVEN電阻分壓器、OV電阻分壓器和TMR電容到"VEE"以確保最大精度。
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