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TPS25923 4.5V 至 5.5V、28mΩ、1A 電子保險(xiǎn)絲,帶外部阻斷 FET 驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-24 14:34 ? 次閱讀

TPS25923x 系列電子保險(xiǎn)絲是一款高度集成的電路保護(hù)和電源 管理解決方案。這些器件使用很少的外部元件,并提供多個(gè) 保護(hù)模式。它們是針對過載、短路、電壓浪涌、 過大的浪涌電流和反向電流。

電流限制水平可通過單個(gè)外部電阻器進(jìn)行設(shè)置。過電壓事件是 受內(nèi)部夾緊電路限制在安全的固定最大值,無需外部元件 必填。具有特定電壓斜坡要求的應(yīng)用可以使用單個(gè) capacitor 以確保正確的輸出斜坡速率。
*附件:tps25923.pdf

許多系統(tǒng)(如 SSD)不得允許保持電容能量傾倒 FET 體二極管連接到下垂或短路的輸入總線上。BFET 引腳用于此類系統(tǒng)。一 外部 NFET 可與 TPS25923x 輸出和柵極驅(qū)動“背靠背 (B2B)” 連接 通過 BFET 防止電流從負(fù)載流向電源。

特性

  • 5V 電子熔絲,V ABSMAX 公司 = 20 伏
  • 集成 28mΩ 導(dǎo)通 MOSFET
  • 固定 6.1V 過壓箝位
  • 1A 至 5A 可調(diào) I限制
  • ±8% 我限制3.7A 的精度
  • 反向電流阻斷支持
  • 編程 OUT 轉(zhuǎn)換速率 UVLO
  • 內(nèi)置熱關(guān)斷
  • UL 2367 認(rèn)證 – 文件編號E339631*
    • *RILIM ≤ 130 kΩ(最大 5 A)
  • 單點(diǎn)故障測試期間安全 (UL60950)
  • 小尺寸 – 10L (3 mm × 3 mm) VSON

參數(shù)

image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

TPS25923是一款集成5V eFuse的電源管理解決方案,具有過壓保護(hù)、反向電流阻斷及可調(diào)電流限制等功能。該器件適用于需要保護(hù)電路免受過載、短路、電壓浪涌等影響的場合,如適配器供電設(shè)備、硬盤驅(qū)動器(HDD/SSD)、服務(wù)器輔助電源等。

2. 主要特性

  • ?5V eFuse?:具有20V的絕對最大電壓承受能力
  • ?集成28mΩ通MOSFET?:用于電源路徑控制
  • ?固定6.1V過壓鉗位?:無需外部元件即可實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)
  • ?可調(diào)電流限制?:支持1A至5A的電流限制,精度±8%
  • ?反向電流阻斷?:支持反向電流保護(hù),防止電源反接損壞
  • ?可編程輸出斜率?:通過外部電容設(shè)置輸出上升斜率
  • ?內(nèi)置熱關(guān)斷?:防止器件過熱損壞
  • ?UL認(rèn)證?:符合UL 2367標(biāo)準(zhǔn),適用于安全關(guān)鍵型應(yīng)用

3. 電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:4.5V至5.5V
  • ?過壓鉗位電壓?:5.5V至6.75V(根據(jù)溫度)
  • ?使能/欠壓鎖定閾值?:4.15V至4.45V(上升),4.06V至4.3V(下降)
  • ?靜態(tài)電流?:啟用時(shí)0.35mA至0.6mA,禁用時(shí)0.1mA至0.25mA
  • ?熱關(guān)斷閾值?:約150°C

4. 功能描述

  • ?電流限制?:通過外部電阻設(shè)置電流限制閾值,當(dāng)輸出電流超過設(shè)定值時(shí),器件將自動限制電流以防止損壞
  • ?過壓保護(hù)?:當(dāng)輸入電壓超過6.75V時(shí),內(nèi)部鉗位電路將輸出電壓限制在安全的固定最大值
  • ?輸出斜率控制?:通過連接至dV/dT引腳的外部電容,可設(shè)置輸出電壓在啟動時(shí)的上升斜率
  • ?反向電流阻斷?:當(dāng)檢測到反向電流時(shí),BFET引腳將控制外部NFET關(guān)斷,防止電流倒流
  • ?熱關(guān)斷?:當(dāng)器件溫度超過熱關(guān)斷閾值時(shí),內(nèi)部電路將關(guān)斷MOSFET以保護(hù)器件

5. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 適配器供電設(shè)備
  • 硬盤驅(qū)動器(HDD/SSD)
  • 機(jī)頂盒
  • 服務(wù)器輔助電源
  • 風(fēng)扇控制
  • PCI/PCIe卡

6. 典型應(yīng)用

  • ?簡單3.7A eFuse保護(hù)?:適用于機(jī)頂盒等設(shè)備,通過選擇合適的R_ILIM電阻和dV/dT電容,實(shí)現(xiàn)精確的電流限制和輸出斜率控制
  • ?涌流和反向電流保護(hù)?:適用于需要保護(hù)保持電容的應(yīng)用,如SSD,通過BFET引腳控制外部NFET實(shí)現(xiàn)反向電流阻斷

7. 設(shè)計(jì)考慮

  • ? 電流限制電阻(R_ILIM) ?:根據(jù)所需的電流限制值選擇合適的電阻值
  • ? 輸出斜率電容(C_dV/dT) ?:根據(jù)系統(tǒng)電容和負(fù)載情況選擇合適的電容值,以避免啟動時(shí)的熱關(guān)斷
  • ? 輸入旁路電容(C_IN) ?:推薦在VIN引腳附近放置0.001μF至0.1μF的陶瓷電容,以控制瞬態(tài)電壓和本地供電噪聲

8. 布局指南

  • 輸入旁路電容應(yīng)盡可能靠近VIN引腳放置
  • 高電流路徑應(yīng)使用寬跡線,并連接到PCB的接地平面
  • 所有支持元件(如R_ILIM、C_dV/dT和EN/UVLO分壓電阻)應(yīng)靠近相應(yīng)的引腳放置,并使用最短的跡線連接
  • 保護(hù)元件(如TVS、鉗位二極管等)應(yīng)靠近受保護(hù)引腳放置,以減少電感
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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