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TPS25940 具有反向電流阻斷和 DevSleep 支持的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A-5.2A 電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-12 10:39 ? 次閱讀
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TPS25940 eFuse 電源開(kāi)關(guān)是一款緊湊、功能豐富的電源管理設(shè)備,具有一整套保護(hù)功能,包括支持符合 SATA? 設(shè)備睡眠標(biāo)準(zhǔn)的低功耗 DevSleep? 模式。寬工作范圍允許控制許多常用的直流總線電壓。集成的背靠背 FET 提供雙向電流控制,使該器件非常適合具有負(fù)載側(cè)保持能量的系統(tǒng),這些能量不能回流到發(fā)生故障的電源總線。
*附件:tps25940.pdf

負(fù)載、電源和器件保護(hù)具有許多可編程功能,包括過(guò)流、dV o /dt 斜坡和過(guò)壓、欠壓閾值。對(duì)于系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)控和下游負(fù)載控制,該器件提供 PGOOD、FLT 和精確的電流監(jiān)控輸出。精確可編程的欠壓、過(guò)壓閾值和低 IQDevSleep 模式簡(jiǎn)化了 SSD 電源管理設(shè)計(jì)。

TPS25940 監(jiān)測(cè)器 V (印度) 和 V (出) 在 V (印度) < (V (出) - 10 mV)。此功能支持在備用電壓大于總線電壓的系統(tǒng)中快速切換到升壓儲(chǔ)能元件。

特性

  • 2.7 V – 18 V 工作電壓,20 V(最大值)
  • 42 mΩ 電阻 R (典型值)
  • 0.6 A 至 5.3 A 可調(diào)電流限制 (±8%)
  • IMON 電流指示器輸出 (±8%)
  • 200 μA 工作電流 I Q (典型值)
  • 95 μA DevSleep 模式 I Q (典型值)
  • 15 μA 禁用 I Q (典型值)
  • ±2% 過(guò)壓、欠壓閾值
  • 反向電流阻斷
  • 1 μs 反向電壓關(guān)斷
  • 可編程 dV o /dt 控件
  • 電源正常和故障輸出
  • –40°C 至 125°C 結(jié)溫范圍
  • UL 2367 認(rèn)證
    • 文件編號(hào) 169910
    • R 伊利姆 ≥ 20 kΩ(最大 4.81 A)
  • UL60950 - 單點(diǎn)故障測(cè)試期間安全
    • 開(kāi)路/短路 ILIM 檢測(cè)

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

TPS25940是一款針對(duì)SSD(固態(tài)硬盤(pán))等應(yīng)用的智能電子保險(xiǎn)絲(eFuse),具有真反向阻斷和DevSleep支持功能。它提供了全面的保護(hù)特性,包括過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、欠壓鎖定、反向電流阻斷和熱關(guān)斷等。

2. 主要特性

  • ?寬電壓范圍?:支持2.7V至18V的工作電壓(最大20V)。
  • ?低內(nèi)阻?:典型值為42mΩ,有助于減少功耗。
  • ?可編程電流限制?:電流限制范圍為0.6A至5.3A,精度為±8%。
  • ?真反向阻斷?:當(dāng)輸入電壓低于輸出電壓減去10mV時(shí),提供快速(1μs)反向電壓關(guān)斷。
  • ?DevSleep模式?:支持SATA DevSleep標(biāo)準(zhǔn),降低功耗至95μA(典型值)。
  • ?故障輸出?:提供FLT(故障)和PGOOD(電源良好)輸出,用于系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)控。
  • ?熱關(guān)斷保護(hù)?:在過(guò)熱時(shí)自動(dòng)關(guān)閉輸出,防止損壞。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

4. 功能描述

4.1 電流限制和過(guò)流保護(hù)

  • 通過(guò)ILIM引腳上的電阻設(shè)置電流限制閾值。
  • 在過(guò)載條件下,輸出電流被限制在設(shè)定的電流限制值,防止損壞。

4.2 過(guò)壓和欠壓保護(hù)

  • 通過(guò)外部電阻分壓器設(shè)置過(guò)壓和欠壓閾值。
  • 當(dāng)輸入或輸出電壓超出設(shè)定閾值時(shí),設(shè)備關(guān)閉輸出,并指示故障。

4.3 真反向阻斷

  • 當(dāng)檢測(cè)到反向電壓條件時(shí),設(shè)備在1μs內(nèi)關(guān)閉輸出,防止反向電流損壞系統(tǒng)。

4.4 DevSleep模式

  • 當(dāng)DEVSLP引腳被拉高時(shí),設(shè)備進(jìn)入低功耗DevSleep模式,功耗降至95μA(典型值)。
  • 在DevSleep模式下,輸出電壓保持激活,但電流限制降低,以保護(hù)系統(tǒng)。

4.5 熱關(guān)斷保護(hù)

  • 內(nèi)部溫度傳感器監(jiān)測(cè)結(jié)溫,當(dāng)結(jié)溫超過(guò)設(shè)定閾值時(shí),設(shè)備關(guān)閉輸出以防止過(guò)熱損壞。
  • TPS25940A版本在熱關(guān)斷后會(huì)自動(dòng)重試,而TPS25940L版本則鎖定關(guān)閉。

5. 封裝與尺寸

  • ?封裝類(lèi)型?:WQFN-20
  • ?尺寸?:3.00mm x 4.00mm

6. 典型應(yīng)用電路

  • 提供了在SSD應(yīng)用中的典型應(yīng)用電路。
  • 展示了如何通過(guò)外部電阻和電容設(shè)置電流限制、過(guò)壓/欠壓閾值和輸出電壓上升斜率。

7. 設(shè)計(jì)指南

  • ?電流限制電阻選擇?:根據(jù)所需的電流限制值選擇ILIM引腳上的電阻。
  • ?過(guò)壓/欠壓閾值設(shè)置?:使用外部電阻分壓器設(shè)置過(guò)壓和欠壓閾值。
  • ?輸出電壓上升斜率設(shè)置?:通過(guò)dVdT引腳上的電容控制輸出電壓的上升斜率。
  • ?布局建議?:關(guān)鍵元件應(yīng)靠近TPS25940的相應(yīng)引腳,以減少寄生電感和電阻。

8. 設(shè)備與文檔支持

  • 提供了相關(guān)的技術(shù)文檔、工具、軟件支持和社區(qū)資源鏈接。

TPS25940以其豐富的保護(hù)特性、可編程性和低功耗模式,成為需要高可靠性和低功耗電源管理的SSD等應(yīng)用的理想選擇。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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