TPS22930 是一個(gè)小而低的 R上帶受控開(kāi)啟的負(fù)載開(kāi)關(guān)。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET，可在 1.4 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作。該開(kāi)關(guān)由開(kāi)/關(guān)輸入 （ON） 控制，該輸入能夠直接與低壓控制信號(hào)連接。TPS22930 為 active high enable。
*附件：tps22930a.pdf

TPS22930 器件通過(guò)在反向電壓（也稱為反向電流）情況下禁用體二極管來(lái)提供斷路器功能。反向電流保護(hù)僅在電源開(kāi)關(guān)禁用 （關(guān)閉） 時(shí)有效。當(dāng)輸出電壓 （V 外 ） 被驅(qū)動(dòng)得高于輸入 （V 在 ） 以阻止電流流向開(kāi)關(guān)的輸入側(cè)。此外，如果輸入電壓過(guò)低，欠壓鎖定 （UVLO） 保護(hù)會(huì)關(guān)閉開(kāi)關(guān)。

該器件的轉(zhuǎn)換速率在內(nèi)部進(jìn)行控制，以避免浪涌電流。

該 TPS22930 采用超小型、節(jié)省空間的 4 引腳 CSP 封裝，可在 –40°C 至 85°C 的自然空氣溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 集成單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)
• 超小型四端子晶圓芯片級(jí)封裝（所示標(biāo)稱尺寸詳見(jiàn)附錄）
  • 0.9 mm × 0.9 mm，0.5 mm 間距，0.5 mm 高 （YZV）
• 輸入電壓范圍：1.4 V 至 5.5 V
• 超低 R上電阻
  • R上V 時(shí) = 35 mΩ 在 = 5 伏
  • R上V 時(shí) = 36 mΩ 在 = 3.6 伏
  • R上V 時(shí) = 49 mΩ 在 = 1.8 伏
• 最大連續(xù)開(kāi)關(guān)電流為 2A
• 低靜態(tài)電流 （< 3 μA）
• 低控制輸入閾值支持使用 1.2V/1.8V/2.5V/3.3V 邏輯
• 受控轉(zhuǎn)換速率
• 欠壓鎖定
• 禁用時(shí)提供反向電流保護(hù)

參數(shù)

方框圖

1. 概述

TPS22930A 是一款超小型、低導(dǎo)通電阻的負(fù)載開(kāi)關(guān)，采用單通道設(shè)計(jì)，封裝尺寸為 0.9 mm × 0.9 mm，高度為 0.5 mm。該器件適用于智能手機(jī)、便攜式工業(yè)/醫(yī)療設(shè)備、便攜式媒體播放器等多種應(yīng)用場(chǎng)景。

2. 主要特點(diǎn)

• ?超小型封裝?：0.9 mm × 0.9 mm，0.5 mm 間距，0.5 mm 高度。
• ?低導(dǎo)通電阻?：在 V_IN = 5V 時(shí)，R_ON = 35 m?；在 V_IN = 3.6V 時(shí)，R_ON = 36 m?；在 V_IN = 1.8V 時(shí)，R_ON = 49 m?。
• ?高開(kāi)關(guān)電流?：最大連續(xù)開(kāi)關(guān)電流為 2A。
• ?低靜態(tài)電流?：小于 3 μA。
• ?低控制輸入閾值?：支持 1.2V、1.8V、2.5V、3.3V 邏輯電平。
• ?控制開(kāi)通斜率?：避免開(kāi)機(jī)時(shí)的浪涌電流。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：防止輸入電壓過(guò)低時(shí)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。
• ?反向電流保護(hù)?：在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，斷開(kāi)體二極管以防止反向電流。

3. 應(yīng)用場(chǎng)景

• 智能手機(jī)/無(wú)線手持設(shè)備
• 便攜式工業(yè)/醫(yī)療設(shè)備
• 便攜式媒體播放器
• 銷售點(diǎn)終端
• GPS 導(dǎo)航設(shè)備
• 數(shù)碼相機(jī)
• 便攜式儀器

4. 電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：1.4V 至 5.5V。
• ?導(dǎo)通電阻?：隨輸入電壓變化，典型值在 35 m? 至 62 m? 之間。
• ?靜態(tài)電流?：在不同輸入電壓下，典型值為 1 μA 至 10 μA。
• ?開(kāi)關(guān)時(shí)間?：開(kāi)啟時(shí)間典型值為 4.8 μs 至 7.4 μs，關(guān)閉時(shí)間典型值為 6.3 μs 至 9.5 μs。

5. 功能描述

• ?開(kāi)關(guān)控制?：通過(guò) ON 引腳控制開(kāi)關(guān)狀態(tài)，高電平使能。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：當(dāng)輸入電壓低于 UVLO 閾值時(shí)，開(kāi)關(guān)關(guān)閉。
• ?反向電流保護(hù)?：在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，斷開(kāi)體二極管，防止 V_OUT 高于 V_IN 時(shí)的反向電流。

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：DSBGA（晶圓級(jí)芯片規(guī)模球柵陣列）。
• ?尺寸?：0.9 mm × 0.9 mm，0.5 mm 高度。

7. 布局與熱設(shè)計(jì)

• ?布局建議?：輸入和輸出電容應(yīng)盡可能靠近器件放置，以減小寄生電感的影響。
• ?熱設(shè)計(jì)?：最大結(jié)溫限制為 150°C，需根據(jù)應(yīng)用條件計(jì)算最大允許功耗。

8. 支持資源

• ?技術(shù)文檔?：包括數(shù)據(jù)手冊(cè)、應(yīng)用指南等。
• ?樣品申請(qǐng)?：可通過(guò) TI 官網(wǎng)申請(qǐng)樣品。
• ?社區(qū)支持?：TI E2E? 支持論壇提供工程師交流和設(shè)計(jì)幫助。