LM5050-2 高側 OR-ing FET 控制器與外部 MOSFET 與電源串聯時用作理想二極管整流器。這個 OR-ing 控制器允許 MOSFET 取代配電網絡中的二極管整流器，從而減少 功率損耗和電壓降。
*附件：lm5050-2.pdf

LM5050-2 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅動 以及一個快速響應比較器，用于在電流反向流動時關閉 FET。這 LM5050-2 可以連接 +6V 至 +75V 的電源，并且可以承受高達 +100V 的電壓。

LM5050-2 還提供 FET 測試診斷模式，允許系統控制器 測試短路的 MOSFET。

特性

• 寬工作輸入電壓范圍：+6V 至 +75V
• +100 V 瞬態能力
• 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵柵極驅動器
• MOSFET 診斷測試模式
• 對電流反轉的快速 50ns 響應
• 2A 峰值柵極關斷電流
• 最小 VDS 系列用于更快關斷的 Clamp
• 封裝：SOT-6 （薄型 SOT23-6）

參數

方框圖

概述

LM5050-2是一款高性能的高側OR-ing FET控制器，適用于需要高可用性電源系統的應用。它能夠與外部N-Channel MOSFET配合工作，替代傳統的OR-ing二極管，從而減少功率損失和電壓降。

主要特性

• ?寬輸入電壓范圍?：支持+6V至+75V的寬輸入電壓范圍，并能承受高達+100V的瞬態電壓。
• ?快速響應?：具有50ns的快速響應時間，能夠迅速檢測并響應電流反向情況。
• ?電荷泵門極驅動?：內置電荷泵門極驅動器，可為外部N-Channel MOSFET提供高達2A的峰值門極關斷電流。
• ?MOSFET診斷測試模式?：提供MOSFET診斷測試模式，允許系統控制器檢測MOSFET是否短路。
• ?小封裝?：采用SOT-6（Thin SOT23-6）封裝，體積小，便于集成。

功能描述

• ?OR-ing功能?：LM5050-2能夠驅動外部N-Channel MOSFET，實現與傳統OR-ing二極管相同的功能，但具有更低的功率損失和電壓降。
• ?電壓監控?：通過監控外部MOSFET的源極和漏極電壓，LM5050-2能夠控制MOSFET的開關狀態，確保電源系統的穩定性。
• ?故障保護?：在檢測到電流反向或MOSFET短路等故障情況時，LM5050-2能夠迅速關斷MOSFET，保護電源系統不受損壞。

典型應用

• ?冗余電源供應?：在需要高可用性的系統中，LM5050-2可用于連接多個冗余電源供應，提高系統的可靠性和穩定性。
• ?電源分配網絡?：在電源分配網絡中，LM5050-2可替代傳統的OR-ing二極管，減少功率損失和電壓降，提高電源效率。

引腳功能

• ?nFGD?：開漏輸出引腳，用于FET測試電路。當OFF引腳為高電平時，nFGD引腳的低電平狀態表示外部MOSFET的前向電壓大于350mV。
• ?GND?：控制器地返回引腳。
• ?OFF?：FET測試模式控制輸入引腳。邏輯低電平或開路狀態將禁用FET測試模式；邏輯高電平將拉低GATE引腳并關斷外部MOSFET。
• ?IN?：電壓感應連接引腳，連接到外部MOSFET的源極引腳和內部電荷泵的供電輸入。
• ?GATE?：連接到外部MOSFET的門極引腳。
• ?OUT?：電壓感應連接引腳，連接到外部MOSFET的漏極引腳，并為內部控制電路提供偏置電壓。

設計指南

• ?MOSFET選擇?：根據應用需求選擇合適的MOSFET，重點考慮最大連續漏極電流、體二極管最大電流、最大漏源電壓、柵源閾值電壓、漏源反向擊穿電壓和漏源導通電阻等參數。
• ?布局和布線?：遵循推薦的布局和布線指南，以最小化寄生電感和電容的影響，確保系統的穩定性和可靠性。
• ?故障保護?：在設計時考慮加入適當的故障保護電路，如反向電流保護、過壓保護和過流保護等，以提高系統的可靠性和安全性。

文檔支持

LM5050-2的數據手冊提供了詳細的電氣特性、引腳描述、典型應用電路、設計指南以及故障保護建議等信息。此外，TI還提供了相關的評估板和軟件工具，以幫助用戶快速評估和設計基于LM5050-2的電源管理解決方案。