LM5050-1/-Q1 高側 OR-ing FET 控制器在與電源串聯時與外部 MOSFET 一起作為理想二極管整流器運行。該 ORing 控制器允許 MOSFET 取代配電網絡中的二極管整流器，從而減少功率損耗和壓降。

LM5050-1/-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅動，并提供快速響應比較器，以便在電流反向流動時關閉 FET。LM5050-1/-Q1 可連接 5 V 至 75 V 的電源，并可承受高達 100 V 的瞬態電壓。
*附件：lm5050-1-q1.pdf

特性

• 提供標準和 AEC-Q100 認證 LM5050Q0MK-1 版本（高達 150°C T J ） 和 LM5050Q1MK-1 （高達 125°C T J )
• 功能安全能力
  • 提供有助于功能安全系統設計的文檔
• 寬工作輸入電壓范圍 V 在 ： 1 V 至 75 V （V偏見V 需要 在 < 5 V）
• 100V 瞬態能力
• 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵柵極驅動器
• 對電流反轉的快速 50ns 響應
• 2A 峰值柵極關斷電流
• 最小 VDS 系列用于更快關斷的 Clamp
• 封裝：SOT-6 （薄型 SOT-23-6）

參數

方框圖

1. 產品概述

LM5050-1-Q1是一款高側OR-ing FET控制器，用于在電源分配網絡中替代二極管整流器，從而減少功率損失和電壓降。該控制器可與外部N-Channel MOSFET配合使用，實現理想二極管整流功能，適用于冗余（N+1）電源供應的主動OR-ing。

2. 主要特性

• ?寬輸入電壓范圍?：支持1V至75V的輸入電壓（V_BIAS需用于V_IN < 5V的情況）。
• ?高瞬態能力?：能承受高達100V的瞬態電壓。
• ?快速響應?：具有50ns的快速電流反向響應。
• ?電荷泵門驅動?：為外部N-Channel MOSFET提供電荷泵門驅動。
• ?功能安全?：提供文檔支持功能安全系統設計。
• ?AEC-Q100認證?：LM5050-1-Q1版本符合汽車電子委員會標準，適用于汽車應用。

3. 應用領域

• 冗余電源供應的主動OR-ing。
• 需要減少功率損失和電壓降的電源分配網絡。

4. 功能描述

• ?OR-ing功能?：允許多個電源供應冗余連接，提高系統可靠性。
• ?理想二極管行為?：通過控制外部MOSFET，模擬低正向電壓二極管的行為。
• ?反向電流保護?：當檢測到電流反向時，快速關閉MOSFET，防止損壞。
• ?OFF控制?：通過OFF引腳邏輯控制，可手動關閉外部MOSFET。

5. 電氣特性

• ?工作電源電壓?：VS引腳支持5V至75V。
• ?低靜態電流?：在25°C時，典型值為75μA。
• ?快速門電容放電?：C_GATE=47nF時，典型放電時間為180ns。
• ?反向V_SD閾值?：典型值為-28mV。
• ?正向V_SD調節閾值?：典型值為22mV。

6. 熱特性

• ?熱阻?：R_θJA（結到環境熱阻）為180.7°C/W。
• ?工作溫度范圍?：標準級為-40°C至125°C，AEC-Q100級為-40°C至150°C。

7. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：SOT-6（Thin SOT-23-6）。
• ?尺寸?：2.90mm × 1.60mm。

8. 使用注意事項

• ?MOSFET選擇?：需根據應用需求選擇合適的MOSFET，考慮最大連續漏極電流、體二極管電流、最大漏源電壓等因素。
• ?輸入保護?：在輸入電壓可能低于VS引腳最低電壓要求時，需通過外部電路保護VS引腳。
• ?反向輸入電壓保護?：在Vs供電而IN引腳浮動或接地時，會有漏電流，需采取措施避免影響電路設計。

9. 文檔與支持

• 提供了詳細的數據手冊，包括電氣特性、封裝信息、應用指南等。
• 提供了相關的社區資源鏈接，以便用戶獲取更多支持和幫助。

LM5050-1-Q1是一款功能強大、靈活的高側OR-ing FET控制器，適用于需要高可靠性和低功率損失的冗余電源供應應用。