碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導體材料,因其優越的電氣特性和熱穩定性,正在逐漸取代傳統的硅(Si)材料,成為功率器件領域的重要選擇。SiC功率
發表于 06-18 17:24
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功率器件作為電子系統中的核心元件,其動態特性直接影響著系統的效率、穩定性和可靠性。因此,對功率器件動態特
發表于 06-12 17:03
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隨著技術的不斷進步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而,這些器件在長期連續使用后會出現老化現象,導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些
發表于 06-03 16:03
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在現代電子技術飛速發展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子
發表于 04-09 18:02
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在研究逆變電路的損耗時,所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實現預期的電路工作和特性,同時還需要進行優化以將損耗降至更低。本文將功率器件的
發表于 03-27 14:20
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)功率器件,成為電力電子領域的核心技術之一。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的基本特性、主要類型、應用領域、市場前景以及未來發展趨勢。
發表于 02-25 13:50
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功率器件熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎。掌握功率半導體的熱設計基礎知識,不僅有助于提高
發表于 02-03 14:17
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大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯形成的混合器件實現了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件
發表于 01-21 11:03
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/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的
發表于 01-13 17:36
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/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的
發表于 01-06 17:05
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如今,圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點,第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求,被認為是突破傳統硅(Si)器件性能天花板的必由之路。
發表于 10-18 15:40
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隨著電力電子技術的飛速發展,傳統的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應用需求。在這一背景下,碳化硅(SiC)功率
發表于 09-11 10:43
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SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導體材料的重要應用之一。SiC以其優異的物理和化學
發表于 09-10 15:15
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碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應用。相比傳統的硅(Si)基功率
發表于 08-07 16:22
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IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發熱的原因主要有兩個,一是
發表于 07-19 11:21
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