樣品切割和拋光

配溫控液氮冷卻臺，去除熱效應對樣品的損傷，有助于避免拋光過程中產生的熱量而導致的樣品融化或者結構變化，

氬離子切割制樣原理

氬離子切割制樣是利用氬離子束（?1mm）來切割樣品，以獲得相比FIB制樣（通常十幾微米）面積更大的電子顯微分析區域。

其制樣原理是用一個堅固的擋板遮擋住樣品的非目標區域，有效的遮蔽了下半部分的離子束，創造出一個側切割平面，去除樣品表面的一層薄膜。

氬離子拋光技術又稱CP截面拋光技術，是對樣品表面進行拋光，去除損傷層，從而得到高質量樣品，用于在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

氬離子拋光與切割/CP截面拋光的優點

相比較下氬離子拋光/CP截面拋光的優點

1.對由硬材料和軟材料組成的復合材料樣品, 能夠很精細地制作軟硬接合部的截面, 而使用傳統方法制樣是很困難的。

寄樣要求

1. 送樣前需要對樣品進行預處理：樣品預磨拋，樣品要磨平，樣品的上下表面要平行，樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平，在顯微鏡下看起來光滑，不粗糙。

2. 樣品的尺寸要求：

• 塊狀樣品：以待拋光區域為中心點，樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）
• 粉末樣品：10g以上。
  

案例分析
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