協(xié)處理器概念

協(xié)處理器是一種芯片，用于減輕系統(tǒng)微處理器的特定處理任務(wù)。

協(xié)處理器，這是一種協(xié)助中央處理器完成其無(wú)法執(zhí)行或執(zhí)行效率、效果低下的處理工作而開(kāi)發(fā)和應(yīng)用的處理器。這種中央處理器無(wú)法執(zhí)行的工作有很多，比如設(shè)備間的信號(hào)傳輸、接入設(shè)備的管理等；而執(zhí)行效率、效果低下的有圖形處理、聲頻處理等。為了進(jìn)行這些處理，各種輔助處理器就誕生了。需要說(shuō)明的是，由于現(xiàn)在的計(jì)算機(jī)中，整數(shù)運(yùn)算器與浮點(diǎn)運(yùn)算器已經(jīng)集成在一起，因此浮點(diǎn)處理器已經(jīng)不算是輔助處理器。而內(nèi)建于CPU中的協(xié)處理器，同樣不算是輔助處理器，除非它是獨(dú)立存在。

驍龍835有協(xié)處理器嗎

高通的處理器目前沒(méi)有協(xié)處理器這一說(shuō)。不過(guò)驍龍芯片內(nèi)置的Hexagon 682 DSP相當(dāng)于協(xié)處理器。

Hexagon 682 DSP實(shí)現(xiàn)了處理能力和性能的提升，并通過(guò)支持面向機(jī)器學(xué)習(xí)的GoogleTensorFlow和面向圖像處理的Halide，使移動(dòng)平臺(tái)更加智能化。Hexagon 682 DSP作為驍龍835平臺(tái)中的關(guān)鍵所在，是其強(qiáng)大的第二芯，旨在在不影響電池續(xù)航時(shí)間的前提下，為設(shè)備帶來(lái)強(qiáng)大性能。

整個(gè)移動(dòng)平臺(tái)可分擔(dān)工作負(fù)載，因而能夠使用一直在線的如集成語(yǔ)音識(shí)別和可靠的私人助理等諸多設(shè)備功能，而不必?fù)?dān)心會(huì)耗盡電量。

驍龍835的性能參數(shù)

制程工藝：

高通驍龍835芯片基于三星10nm制造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835芯片面積將變得更小。

2016年10月，三星宣布率先在業(yè)界實(shí)現(xiàn)了10納米 FinFET工藝的量產(chǎn)。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達(dá)30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%的功耗降低。通過(guò)采用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。制程工藝的提升與更先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)相結(jié)合，預(yù)計(jì)將會(huì)提升電池續(xù)航。

核心：

驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz，并采用八核設(shè)計(jì)。驍龍835將采用10nm八核心設(shè)計(jì)，大小核均為Kryo280架構(gòu)，大核心頻率2.45GHz，大核心簇帶有2MB的L2 Cache，小核心頻率1.9GHz，小核心簇帶有1MB的L2 Cache，GPU為Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內(nèi)存，整合了Cat.16基帶。

快速充電：

新的驍龍835處理器，支持Quick Charge 4快速充電，比起Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。另外其具備更小的芯片尺寸，能為手機(jī)廠商提供更靈活的內(nèi)部空間設(shè)計(jì)。

Quick Charge 4.0快充技術(shù)充電5分鐘可以延長(zhǎng)手機(jī)使用時(shí)長(zhǎng)5小時(shí)，此外QC 4.0還集成了對(duì)USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，適配范圍更廣泛。

效率提升：

高通并未公布驍龍835的更多信息，但表示10nm工藝將會(huì)帶來(lái)更好的性能，提升功率效率，作為對(duì)比高通驍龍820基于14nm制造工藝打造。 三星表示10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%。

內(nèi)存帶寬：

驍龍835會(huì)率先支持傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運(yùn)存，帶寬提升明顯。

驍龍835性能參數(shù)表