技術(shù)
一
48V電源布局

一般由上圖所示構(gòu)成。主要的零件有電源接口、保險(xiǎn)管、MOS、光藕、電容、電源磚、以及緩啟電路
技術(shù)
二
器件布局要求
01
保險(xiǎn)管必須緊鄰48V電源輸入接口放置,確保輸入保護(hù)的有效性
02
相同功能的電路模塊集中布置,形成清晰的功能分區(qū)。不同類型電路避免交叉布局,減少相互干擾。
03
采用模塊化布局思路,便于后期維護(hù)和問(wèn)題定位。
04
48V功率區(qū)域與其他電路區(qū)域保持最小70mil的物理隔離,建議使用ANTI ETCH ALL工具預(yù)先繪制70mil隔離帶,便于設(shè)計(jì)檢查,隔離帶內(nèi)不得有其他信號(hào)線或器件。
05
06
為電源磚預(yù)留足夠的散熱空間和氣流通道。
技術(shù)
三
電氣安全間距標(biāo)準(zhǔn)
孔到孔/孔到線間距
保險(xiǎn)管前級(jí)(高壓側(cè)):
表面層:≥2.1mm 內(nèi)層:≥1.75mm
保險(xiǎn)管后級(jí)(低壓側(cè)):
表面層:≥2.1mm 內(nèi)層:≥0.75mm
線到線間距
保險(xiǎn)管前級(jí)(高壓側(cè)):
表面層:≥2.0mm 內(nèi)層:≥1.4mm
保險(xiǎn)管后級(jí)(低壓側(cè)):
表面層:≥2.0mm 內(nèi)層:≥0.4mm
技術(shù)
四
布線工藝要求
01
保險(xiǎn)管前端的48V輸入線路與其他信號(hào)禁止在相鄰層平行走線,避免PCB層間絕緣破壞導(dǎo)致短路起火風(fēng)險(xiǎn)。
02
功率MOS管必須打通孔(via)增強(qiáng)散熱,在PCB底層(BOTTOM)對(duì)應(yīng)MOS管位置做亮銅處理,提升導(dǎo)熱效果。
03
保險(xiǎn)管在絲印層標(biāo)注規(guī)格,格式:電壓值/電流值
示例:125V/12A(125V表示耐壓,12A表示額定電流)。
04
電源磚的引腳采用花焊盤(pán)(thermal pad)連接方式。
花焊盤(pán)設(shè)計(jì)的必要性及檢查
為昕MarsPCB設(shè)計(jì)軟件-花焊盤(pán)演示
05
48V區(qū)域的參考平面僅允許使用RTN(Return),嚴(yán)禁GND、DGND等其他地平面進(jìn)入48V區(qū)域,嚴(yán)禁其他電源平面進(jìn)入該區(qū)域,確保48V系統(tǒng)的電氣隔離和EMI性能。
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電源
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