在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。

01SGT工藝

超低導(dǎo)通內(nèi)阻

MDDG03R01G在柵源電壓VGS=10V、漏極電流ID=50A的條件下，其最大導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為 1.0mΩ。如此低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低器件在工作過程中的功率損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。

此外，該產(chǎn)品具備極低的反向恢復(fù)電荷Qrr，這一特性對于提高開關(guān)頻率、降低開關(guān)損耗至關(guān)重要，有助于實(shí)現(xiàn)更高效的電源轉(zhuǎn)換和更快速的信號(hào)處理。

同時(shí)，MDDG03R01G通過了100% UIS 測試，確保了產(chǎn)品的一致性和可靠性，并且完全符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

02核心性能與關(guān)鍵參數(shù)

01導(dǎo)通與動(dòng)態(tài)特性

低壓驅(qū)動(dòng)兼容性：在VGS=4.5V, ID=30A時(shí)最大導(dǎo)通電阻仍保持1.6mΩ水準(zhǔn)，適配低壓控制電路。

低柵極電荷(Qg=61nC)：減少開關(guān)損耗，支持高頻應(yīng)用(如400kHz LLC拓?fù)?。

快速開關(guān)響應(yīng)：開啟延遲(td(on))僅10ns。關(guān)斷延遲(td(off))71ns

超強(qiáng)電流承載：300A持續(xù)電流(Tc=25℃)，1200A脈沖電流，滿足嚴(yán)苛負(fù)載需求。

02工業(yè)級(jí)可靠性

100%UIS測試：單脈沖雪崩能量

EAS：430.5mJ(VDD=24V,L=0.5mH,IAS=41.5A)，保障感性負(fù)載安全性。

寬溫工作范圍：-55℃~150℃，適應(yīng)極端環(huán)境。

03電性曲線圖

04應(yīng)用場景

1、專為ATX/服務(wù)器/電信電源的同步整流而生

0.75mΩ RDS(on)：其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)性能能夠顯著提升電源的轉(zhuǎn)換效率，降低發(fā)熱，延長設(shè)備的使用壽命

低Qrr特性：優(yōu)化LLC諧振拓?fù)湫剩瑵M載效率提升1.5%

2、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與不間斷電源（UPS）

300A持續(xù)電流：支持伺服電機(jī)、AGV小車瞬間啟停，耐受1200A脈沖沖擊。

軟恢復(fù)體二極管：反向恢復(fù)時(shí)間(trr)82ns，降低EMI干擾。

3、高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器

高頻開關(guān)能力：開啟延遲10ns，關(guān)斷延遲71ns，適配Buck/Boost拓?fù)洹?shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換，滿足不同負(fù)載對電源的需求。

PDFN5×6-8L封裝：底部散熱焊盤設(shè)計(jì)，通過大面積銅箔降低熱阻。

05選型推薦表

除MDDG03R01G之外，MDD新推出的低壓大電流系列MOS針對不同的應(yīng)用場景，推出不同的型號(hào)，以滿足各行業(yè)匹配需求。

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深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司（簡稱MDD辰達(dá)半導(dǎo)體）是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測試及銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。

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