面對大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長的需求，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關(guān)速度以及超強的短路耐受性，是電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器以及電機驅(qū)動的不二選擇。

隨著X.PAK封裝的加入，我們豐富多元的產(chǎn)品系列現(xiàn)包含TO-247-3和4、D2PAK-7和X.PAK封裝選項，充分保證能夠契合客戶的各類需求。這些先進的解決方案在散熱管理方面表現(xiàn)優(yōu)異，具有較低的寄生電感，可靠性進一步提升，非常適合那些要求極為嚴(yán)苛的應(yīng)用場景。

在您的大功率設(shè)計中，選用Nexperia的SiC MOSFET，借助前沿技術(shù)，助力提升性能與可靠性，實現(xiàn)創(chuàng)新突破。

關(guān)鍵應(yīng)用

電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施

光伏逆變器

開關(guān)模式電源

不間斷電源

電機驅(qū)動器

設(shè)計優(yōu)勢

開關(guān)損耗非常低

快速反向恢復(fù)

開關(guān)速度快

關(guān)斷時的開關(guān)損耗不受溫度變化影響

固有體二極管速度很快且穩(wěn)健性佳

憑借額外的開爾文源極引腳，實現(xiàn)了更快的換流速度和更卓越的開關(guān)性能

主要技術(shù)特性

RDS(on)溫度穩(wěn)定性優(yōu)于同類產(chǎn)品

柵極電荷性能優(yōu)越和柵極電荷比

- 柵極驅(qū)動器功耗低

- 對寄生導(dǎo)通的耐受性高

閾值電壓容差非常小

體二極管穩(wěn)健性強，正向電壓非常低

1200 V時漏電流更低

封裝解決方案

TO-247-3 (SOT429-2)

通孔技術(shù)

20.95 x 15.94 x 5.02 mm *

TO-247-4 (SOT8071-1)

通孔技術(shù)

23.45 x 15.94 x 5.02 mm *

D2PAK-7 (SOT8070-1)

表面貼裝技術(shù)

10.08 x 15.88 mm **

X.PAK (SOT8107)

表面貼裝，頂部散熱技術(shù)

14 x 18.5 mm **

* 封裝尺寸（長 x 寬 x 高）

** 封裝尺寸包括引腳（長 x 寬）

產(chǎn)品范圍

SiC FET | 命名

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia（安世半導(dǎo)體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有12,500多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應(yīng)用領(lǐng)域，幾乎為世界上所有電子設(shè)計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）為全球客戶提供服務(wù)，每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準(zhǔn)，獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia（安世半導(dǎo)體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。