100G光模塊中DML(直接調制激光器) 與 EML(電吸收調制激光器)的對比解析,結合技術原理、性能差異及應用場景進行說明:
一、技術原理對比
特性DML(直接調制激光器)EML(電吸收調制激光器)調制方式直接控制激光器電流,改變光強激光器恒定發光,通過外置電吸收片調制光信號核心組件單一激光二極管DFB激光器 + 電吸收調制器(EA)集成工作狀態電流變化導致激光器溫度波動,產生頻率啁啾激光器穩定工作,啁啾效應極低。
二、應用場景選擇
DML適用場景
短距離傳輸:數據中心機柜內互聯(≤500m)、企業局域網。
成本敏感場景:如100G QSFP28 SR4(850nm多模,100m)。
典型方案:25Gbps DML激光器用于100G 光模塊的4通道并行傳輸 。
100G光模塊
EML適用場景
長距離及高速率:城域網骨干、100G LR4/ER4(單模,10km~120km)。
高密度波分復用:DWDM系統中窄譜線傳輸 。
下一代技術:400G DR4/FR4模塊(單波100G PAM4調制)。
三、技術演進與挑戰
DML局限:頻率啁啾限制長距傳輸,高速率下信號失真 。
EML突破:
無制冷EML技術降低功耗,適配數據中心。
調制速率達80~100Gbps,支持800G光模塊演進。
國產化進展:國內已突破40Gbps EML芯片技術,加速替代進口 。
審核編輯 黃宇
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