電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹

“華潤(rùn)微公司在深圳的投資已經(jīng)超過(guò)200億元，潤(rùn)鵬半導(dǎo)體12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目已經(jīng)在2024年12月順利實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，也意味著我們正式加入深圳市半導(dǎo)體的大家庭。” 華潤(rùn)微電子有限公司副總裁馬衛(wèi)清在2025中國(guó)（深圳）集成電路峰會(huì)表示。

2025年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有哪些機(jī)遇？全球功率半導(dǎo)體的頭部廠商和中國(guó)廠商在占有率上有哪些變化？汽車(chē)企業(yè)自研SIC器件有哪些進(jìn)展？本文結(jié)合華潤(rùn)微電子有限公司副總裁馬衛(wèi)清的觀點(diǎn)和比亞迪、理想等汽車(chē)企業(yè)的最新實(shí)踐進(jìn)行分析。

2025年功率半導(dǎo)體銷售規(guī)模將達(dá)815億美元，中國(guó)企業(yè)在IGBT、MOS嶄露頭角

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)集中度較高，前五家均為歐美日廠商，包括英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體，2024年累計(jì)占比約42%。其中英飛凌占比18%，安森美占比9%，意法半導(dǎo)體占比7%，三菱電機(jī)和富士電機(jī)分別占比5%和4%。中國(guó)廠商士蘭微、比亞迪進(jìn)入前十行列。

中國(guó)功率半導(dǎo)體上市公司全球市占率在細(xì)分領(lǐng)域已經(jīng)嶄露頭角，2023年國(guó)內(nèi)功率公司晶閘管/二極管/小信號(hào)等累計(jì)占全球5.3%，MOS占8.5%，IGBT占19%，整體國(guó)產(chǎn)替代仍然有較大空間。在全球智能傳感器方面，全球領(lǐng)導(dǎo)的品牌依然是博世、霍尼韋爾、西門(mén)子等，國(guó)內(nèi)廠商整體處于追隨者地位。

華潤(rùn)微副總裁馬衛(wèi)清表示，盡管功率半導(dǎo)體行業(yè)面臨著諸多挑戰(zhàn)，包括面臨突破國(guó)際巨頭的市場(chǎng)壟斷、應(yīng)對(duì)供應(yīng)鏈的不穩(wěn)定以及跨越終端市場(chǎng)的高準(zhǔn)入門(mén)檻等，但隨著AI、新能源以及電動(dòng)汽車(chē)等新興產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)新一輪的創(chuàng)新發(fā)展機(jī)遇，有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)與突破。

比如在新能源體系的變革下，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將顯著受惠于新能源產(chǎn)業(yè)光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電、汽車(chē)電動(dòng)化/智能化、AI等應(yīng)用蓬勃發(fā)展，2024年功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到757億美元，2025年有望達(dá)到815億美元，中國(guó)是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，2024年需求預(yù)計(jì)達(dá)到283億美元，占全球需求超37%，2025年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到381億美元。

他還提到，AI技術(shù)飛速發(fā)展，賦能傳統(tǒng)行業(yè)不斷升級(jí)，人機(jī)互聯(lián)方式從桌面互聯(lián)網(wǎng)經(jīng)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)邁向萬(wàn)物互聯(lián)。在當(dāng)下AI時(shí)代，多模態(tài)AI成為新應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)載體，并且推動(dòng)功率半導(dǎo)體、傳感器產(chǎn)品和高端集成電路，配合AI驅(qū)動(dòng)帶來(lái)的芯片產(chǎn)品性能提升，如汽車(chē)智能化DC-DC、IGBT、SIC、MCU、CPU、GPU、FPGA等以及人形機(jī)器人CIS、IMU等的需求爆發(fā)。

800V車(chē)型快速上市，帶來(lái)SiC器件需求快速增長(zhǎng)！汽車(chē)企業(yè)自研SiC器件加速

華潤(rùn)微副總裁馬衛(wèi)清指出，新能源汽車(chē)供應(yīng)鏈變短，主機(jī)廠更愿意與芯片廠商直接對(duì)話，甚至進(jìn)行自研芯片，以提高效率和響應(yīng)速度。電子發(fā)燒友調(diào)研顯示，比亞迪汽車(chē)旗下的比亞迪半導(dǎo)體，比亞迪半導(dǎo)體自研的1200V/1040A SiC模塊在不改變?cè)心K封裝尺寸的基礎(chǔ)上將模塊功率大幅度提升了近30%。

2025年3月17日，比亞迪e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上，比亞迪董事長(zhǎng)兼總裁王傳福發(fā)布了“兆瓦閃充”技術(shù)，這一創(chuàng)新技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最高充電電壓1000V，最大充電電流1000A，最高充電倍率10C，最大充電功率1MW，最高峰值充電速度可實(shí)現(xiàn)1秒2公里，5分鐘充電400公里。

比亞迪集團(tuán)執(zhí)行副總裁廉玉波宣布，比亞迪正式發(fā)布1500V車(chē)規(guī)級(jí)SiC功率芯片，這也是行業(yè)首次量產(chǎn)應(yīng)用的、最高電壓等級(jí)的車(chē)規(guī)級(jí)SiC功率芯片。首搭車(chē)型覆蓋漢L EV、唐L EV、仰望U7、騰勢(shì)N9。

此外，長(zhǎng)安汽車(chē)的車(chē)規(guī)級(jí)SiC芯片流片成功。3月4日，長(zhǎng)安汽車(chē)與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。該項(xiàng)目在2023年4月啟動(dòng)，此次流片下線的SiC功率芯片在耐壓和閾值電壓等關(guān)鍵參數(shù)上均表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能。器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達(dá)1700V以上；閾值電壓一致性表現(xiàn)優(yōu)異，通過(guò)率達(dá)到98%，實(shí)測(cè)值分布集中，具有較強(qiáng)的抗干擾能力，在大批量使用時(shí)更易于配對(duì)，從而節(jié)約成本。

6月13日，理想汽車(chē)首次公開(kāi)發(fā)布了新一代電驅(qū)動(dòng)核心技術(shù)——自研高壓碳化硅功率模塊LPM（Li Power Module)。“這款產(chǎn)品歷時(shí)3年半完成了從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全過(guò)程，即將在下個(gè)月搭載于理想汽車(chē)新一代純電車(chē)型理想i8中首發(fā)上市，并且未來(lái)會(huì)陸續(xù)搭載在所有理想純電車(chē)型上。”理想汽車(chē)動(dòng)力驅(qū)動(dòng)部門(mén)電子電力高級(jí)總監(jiān)袁寶成表示。

這款產(chǎn)品給汽車(chē)帶來(lái)兩大優(yōu)勢(shì)：一、理想i8采用SiC功率模塊，相對(duì)IGBT模塊增加6%續(xù)航，約40公里。在此基礎(chǔ)上，通過(guò)關(guān)鍵技術(shù)組合，理想汽車(chē)自研SiC功率模塊可以把續(xù)航再提升1%，以理想i8為例，續(xù)航就又增加了大概7公里。

二、模塊體積縮小。理想汽車(chē)在自研SiC模塊上，做了一個(gè)巨大改動(dòng)：徹底拋棄了外露的傳統(tǒng)功率端子和螺栓連接方式，轉(zhuǎn)而采用了更精巧的內(nèi)部開(kāi)窗設(shè)計(jì)——直接在模塊本體上直接開(kāi)出窗口，讓大電容和銅排可以直接“對(duì)號(hào)入座”。理想SiC模塊與市場(chǎng)常見(jiàn)的半橋模塊相比“占地面積”直接減半，模塊Y方向尺寸減少了40mm。

據(jù)悉，目前理想汽車(chē)已在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)投入多年，具備了從功率半導(dǎo)體到整車(chē)、從設(shè)計(jì)到制造的全鏈條能力。未來(lái)，這家汽車(chē)公司也將在SiC功率模塊等純電核心技術(shù)上持續(xù)耕耘。