選型前，先了解下什么是同步整流？
同步整流器采用與主開關管同步工作的MOSFET或IGBT作為整流元件，以替代傳統的二極管。當主開關管關閉時，同步整流器的MOSFET或IGBT也關閉，從而避免了二極管的正向壓降和反向恢復時間帶來的損耗和干擾。同步整流器的工作原理如下：當主開關管打開時，電流通過主開關管和負載電路流動；當主開關管關閉時，同步整流器的MOSFET或IGBT也關閉，此時負載電流通過同步整流器的體二極管續流。由于同步整流器的體二極管的正向壓降較小，因此可以降低系統的功耗和溫升。
同步整流的工作原理：
當原邊PWM驅動為高電平時，副邊同步整流MOS的Vds電壓升高，這時候驅動SR必須關閉，否則會發生原副邊直通，導致SR或PWM的MOS管損壞。

當原邊PWM驅動從高電平轉換為低電平時，副邊同步整流MOS的體二極管先導通，電流從S流向D，壓降約1V；這時候應該使同步MOS驅動SR盡快開通，讓電流流過同步MOS的溝道，以降低損耗。

同步整流管導通時，變壓器的能量向副邊釋放，變壓器的能量逐漸耗盡，流過同步整流管的電流也逐漸下降；下一次原邊PWM的開通時刻也很快就要到來了。

根據下一次原邊PWM開通時刻，副邊電流是否下降為0，可以把工作模式分為兩種類別：

第一類：DCM 或 QR，這種工作模式下，同步整流每次都是零電流關斷，原邊PWM管是零電流開通。

第二類：CCM，這種工作模式下，同步整流是帶電流關斷；原邊PWM管也是帶電流開通。

第一類控制很簡單，只需要檢測溝道壓降，當壓降小到接近0mV時關閉同步整流管，并且用一些簡單的邏輯防止DCM Ring的時候誤開通就行了。

第二類就沒那么容易了；(原邊主開關管CCM開通)

因為不同負載下同步整流溝道壓降不一樣，無法再通過溝道壓降接近0mV來判斷同步整流的關閉時刻。如果還使用DCM下的關斷策略，就會導致原邊開通時，同步整流還沒有關閉。這樣原副邊會有一小段時間處于直通狀態，原邊的電流前沿尖刺很高，副邊同步整流管也有較大的方向電流尖刺；這時候有很大的瞬時功耗，很容易損壞同步管子或原邊的管子。好處就是副邊同步整流電流全部從溝道流動，幾乎沒有體二極管的反向恢復。

同步整流控制器 LP10R100FN 介紹：
LP10R100FN 為高性能的開關電源 100V 同步整流系列產品，兼容多種開關電源控制系統。LP10R100FN支持 DCM、QR 以及 CCM 工作模式。LP10R100FN 采用專利的整流管開通判定技術，可以有效的避免因激磁振蕩引起的驅動芯片誤開通。LP10R100FN 具有極快的關斷速度，可以大幅度降低在 CCM 工作條件下因關斷延遲造成的效率損失。
LP10R100FN集成 VCC 供電技術。啟動當系統上電后，通過內置 MOS 的體二極管對輸出電容充電，輸出電壓上升。LP10R100FN 通過 D腳連接輸出電壓，當輸出電壓上升時，經過芯片內部供電電路，給 VCC 充電，當 VCC 的電壓充到開啟閾值電壓時，芯片內部控制電路開始工作，MOS 正常的導通和關斷。MOS 正常的導通時，電流不再從體二極管流過，而從 MOS 的溝道流過。芯片正常工作時，所需的工作電流仍然會通過 D腳，給 VCC 供電。同步整流管導通DCM 工作時，由于電感的激磁作用，當初級芯片關斷時，會產生振蕩。為了防止誤檢測振蕩信號，導致同步整流管的異常開啟，LP10R100FN 采用專利的整流管開通技術。當初級芯片關斷時，次級 LP10R100FN 的漏極 D與 GND 之間的電壓迅速下降PXX 通過檢測D和GND之間的下降電壓閾值和下降速率，能準確的判斷同步整流管的開啟。開通條件：當滿足 TOFF>TOFFMIN & dVDS/dt> K &dt>30ns&VDS同步最小導通時間（TONMIN）當同步開啟后，為了避免誤關斷同步整流。LP10R100FN 設置了最小導通時間TONMIN。同步導通階段同步導通時，退磁電流減小，VDS 電壓上升；當VDS 電壓高于-60mV 時，會減小驅動電壓，使得MOS 管的導通阻抗增大，維持VDS 的導通電壓-60mV；有利于同步關斷時，由于驅動電壓低，加快關斷速度。但為了兼顧效率，VGS 最小電壓限定3V。同步整流管關斷為了避免同步整流管導通時，因激磁振蕩幅度較大，導致誤檢測關斷信號，使同步整流管異常的關斷；LP10R100FN 通過整流管關斷電壓閾值，能準確地判斷同步整流管的關斷。關斷條件：同步整流一旦開通，在比較器屏蔽時間 TONMIN內不進行關斷動作。當開通時間 Ton 超過 TONMIN時間后，即 Ton>TONMIN& Vds >VOFF，關斷同步。同步最小關斷時間（TOFFMIN）當同步超過關斷閾值（-5mV）關斷后，為了避免誤開啟同步整流。LP10R100FN 設置了最小關斷時間 TOFFMIN。死區時間（TDEAD）LP10R100FN 有固定的死區時間，典型值600ns。保護功能LP10R100FN 集成了VCC 欠壓保護，過壓鉗位等保護功能。PCB 設計在設計 LP10R100FN PCB 時，需要遵循以下指南：主功率回路走線要短粗。
LP10R100FN 采用 TO220F-3L 封裝。

選用芯茂微的 LP10R100FN 的理由主要因其具有高效率、散熱好、保護功能完善、應用范圍廣等優勢，具體如下：

高效率節能：LP10R100FN 在大多數工況下可實現超過 90% 的能效，能幫助設備降低能耗，減少運行成本，對于對能效有要求的設備而言是不錯的選擇。

散熱性能優良：采用 TO220F-3L 封裝設計，增加了芯片的散熱面積，有利于將芯片工作溫度維持在合理范圍，進而提高芯片工作的可靠性，延長使用壽命。

保護功能完善：芯片內置過流、過壓及短路保護功能，可有效保障電源系統的安全穩定運行，降低因電路異常導致的設備損壞風險。

應用范圍廣泛：該芯片適用于 LED 驅動、電動車充電器、工業電源等多種場合，還可用于智能手機、平板電腦等設備的充電器，靈活性高，能滿足不同領域的需求。

現貨供應有保障：有代理商-粵華信科技-提供現貨，能夠滿足客戶即時的采購需求，確保生產計劃順利進行，減少因缺貨導致的生產延誤。