TPS54519 器件是一款功能齊全的 6 V、5 A 同步降壓電流模式轉換器，帶有兩個集成 MOSFET。

該 TPS54519 通過集成 MOSFET 實現小型設計，實施電流模式控制以減少外部元件數量，通過實現高達 2 MHz 的開關頻率來減小電感器尺寸，并通過小型 3mm × 3mm 熱增強型 QFN 封裝最大限度地減少 IC 尺寸。

通過集成的 30mΩ MOSFET 和 350μA 典型電源電流，效率最大化。使用使能引腳，進入關斷模式后，關斷電源電流降至 2 μA。
*附件：tps54519.pdf

欠壓鎖定在內部設置為 2.6 V，但可以通過在使能引腳上使用電阻網絡對閾值進行編程來提高。輸出電壓啟動斜坡由慢速啟動引腳控制。開漏電源良好信號指示輸出在其標稱電壓的 93% 至 107% 范圍內。

頻率折返和熱關斷可在過流情況下保護器件。

特性

• 兩個 30mΩ（典型值）MOSFET，可在 5A 負載下實現高效率
• 200kHz 至 2MHz 開關頻率
• 0.6 V 電壓基準，初始精度± 1%
• 可調慢啟動/排序
• UV 和 OV 電源良好輸出
• 低工作和關斷靜態電流
• 安全啟動至預偏置輸出
• 逐周期電流限制、熱保護和頻率
  折返保護
• –40°C 至 140°C 工作結
  溫范圍
• 耐熱性能增強型 3mm × 3mm 16 引腳 QFN 封裝

參數

一、產品概述

• ?產品名稱?：TPS54519
• ?類型?：2.95V至6V輸入，5A同步降壓SWIFT?轉換器
• ?特點?：高效率、集成MOSFET、寬開關頻率范圍、熱關斷保護、過流保護、可調軟啟動

二、主要特性

• ?輸入電壓范圍?：2.95V至6V
• ?輸出電壓范圍?：0.6V至輸入電壓減去內部壓降
• ?輸出電流?：最大5A
• ?開關頻率?：200kHz至2MHz可調
• ?封裝?：3mm x 3mm 16引腳QFN封裝
• ?工作溫度范圍?：-40°C至140°C

三、應用領域

• ?低電壓、高密度電源系統?
• ?高性能DSP、FPGA、ASIC和微處理器的點負載調節?
• ?寬帶、網絡和光通信基礎設施?

四、功能描述

• ?集成MOSFET?：內置兩個30mΩ（典型值）MOSFET，提高同步降壓轉換效率
• ?寬開關頻率范圍?：允許通過選擇合適的開關頻率來優化效率和尺寸
• ?熱增強封裝?：提供良好的熱性能，支持高功率密度設計
• ?安全啟動?：支持預偏置輸出的安全啟動
• ?過流保護?：逐周期電流限制，防止過流損壞
• ?熱關斷?：超過155°C時自動關斷，保護芯片免受過熱損害

五、電氣特性

• ?電壓參考?：0.6V，±1%初始準確度
• ?靜態電流?：典型值455μA（無負載），關機狀態下低至5μA
• ?使能閾值?：上升沿1.25V，下降沿1.18V
• ?電流限制?：6A至8A可調
• ?軟啟動時間?：通過外部電容可調

六、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：3mm x 3mm 16引腳QFN封裝（RTE）
• ?訂購信息?：提供多種封裝選項和數量選擇，具體見數據手冊中的訂購信息部分

七、設計指南

• ?輸出電壓設置?：通過電阻分壓器設置，推薦使用1%或更好精度的電阻
• ?輸出電感選擇?：根據輸出電流和紋波要求選擇合適的電感值
• ?輸出電容選擇?：滿足負載瞬態和輸出紋波要求，推薦使用陶瓷電容
• ?輸入電容選擇?：至少4.7μF的陶瓷電容，以穩定輸入電壓
• ?自舉電容?：0.1μF陶瓷電容，提供高側MOSFET的門極驅動電壓
• ?軟啟動電容?：根據所需的軟啟動時間選擇電容值

八、布局考慮

• ?功率路徑?：將VIN、VOUT和PH引腳的走線放在頂層，以減小環路面積
• ?地平面?：頂層大面積鋪地，并通過過孔與內層地平面連接，提供良好的熱路徑
• ?高頻信號路徑?：如輸入旁路電容和輸出濾波電容的連接，應盡量減小環路面積
• ?熱管理?：通過過孔將暴露的熱焊盤與地平面連接，以增強散熱效果