CMOS線性調(diào)整器的重要特性

本次作為連載的第二講將解釋有關線性調(diào)整器的電氣特性。在此列舉了輸出電壓精度、消耗電流、輸入穩(wěn)定度、負載穩(wěn)定度、輸入輸出電壓差、輸出電壓溫度特性等基本性能。這些都屬于調(diào)整器系列的本質(zhì)性特性。針對CMOS線性調(diào)整器，與雙極線性調(diào)整器相比并不存在任何可以忽視的項目。

線性調(diào)整器的基本特性

表3表示CMOS調(diào)整器的一般性電氣特性。

紋波抑制

CMOS線性調(diào)整器雖然按用途分類多種多樣，但按性能大致分為有重視低消耗電流的調(diào)整器和重視瞬態(tài)響應的高速LDO。由于這些區(qū)別對于跟隨輸入電壓或輸出電流的變化而不同，所以只用一般的DC特性難以表現(xiàn)。因此最近為了表示CMOS線性調(diào)整器的基本特性，還包含了紋波抑制率。用以下的公式來說明紋波抑制率

紋波抑制率＝20×Log（輸入電壓變化／輸出電壓變化）

圖5中介紹高速調(diào)整器XC6223系列的紋波抑制特性。此外，圖6中表示了實際的波形。用正弦波表示輸入電壓的峰-峰值為1V時，可讀出改變頻率時輸出電壓的紋波特性。

圖5 Ripple Rejection Rate Characteristics (XC6223)

圖6 Ripple Rejection Rate: Actual Input Voltage and Output Voltage Waveform （IOUT=30mA）

根據(jù)圖5中頻率為1kHz時的紋波抑制率為78dB，與輸入電壓變化為1V相對應，可得出輸出電壓的變化為0.1mV左右；雖然用圖6的示波器不能確認這一結果，但從示波器能確認當頻率為100kHz時，紋波抑制率為40dB左右，輸出的紋波電壓約為數(shù)mV左右。