全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,該模型提升了收斂性和仿真速度。
功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響,因此在設計階段的仿真驗證中,模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通過提高每種特性的復現性,滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面,該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題,亟待改進。
新模型“ROHM Level 3(L3)”通過采用簡化的模型公式,能夠在保持計算穩定性和開關波形精度的同時,將仿真時間較以往L1模型縮短約50%。由此,能夠高精度且快速地執行電路整體的瞬態分析,從而有助于提升應用設計階段的器件評估與損耗確認的效率。
“ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款機型)已于2025年4月在官網上發布,用戶可通過產品頁面等渠道下載。新模型L3推出后,以往模型仍將繼續提供。另外,ROHM還發布了詳細的使用說明白皮書,以幫助用戶順利導入新模型。
審核編輯 黃宇
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