十五年前，600V 的系統(tǒng)電壓是組件的主流產(chǎn)品。五年前至今，1500V 的系統(tǒng)電壓成為了儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)的系統(tǒng)電壓標(biāo)準(zhǔn)。陽光電源、上能電氣、華為等企業(yè)已經(jīng)相繼布局1500V高壓儲(chǔ)能系統(tǒng)，并且延續(xù)向更高壓（如2000V）演進(jìn)的態(tài)勢。

如何提高儲(chǔ)能銷量、確保儲(chǔ)能的安全性和可靠性是當(dāng)前儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)面臨的重要問題。就材料選型而言，需要選擇耐高壓、低損耗、高可靠性、高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度的材料。

對此，Big-Bit資訊《磁性元件與電源》特邀安陽佳友非晶非晶科技有限公司（下稱“佳友非晶”）的銷售經(jīng)理郭振偉，闡述在1500V及更高壓儲(chǔ)能系統(tǒng)下，對非晶納米晶材料提出的技術(shù)要求、趨勢以及佳友非晶在非晶納米晶材料方面做出的行業(yè)范例。

儲(chǔ)能集裝箱 圖源：包圖網(wǎng)

一、非晶納米晶材料在儲(chǔ)能領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀及難點(diǎn)

在高壓儲(chǔ)能領(lǐng)域，行業(yè)內(nèi)使用軟磁鐵氧體和金屬軟磁粉芯比較多，但鐵氧體的飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度（Bs）僅0.4-0.5T，且溫度穩(wěn)定性差，在80℃以上時(shí)Bs值衰減超過30%，導(dǎo)致高溫工況下儲(chǔ)能器件體積需額外增大40%以上。金屬軟磁粉芯材料高頻損耗較大，且鐵芯繞線時(shí)容易碎裂。

而非晶納米晶材料在高頻低損耗、高功率密度（Bs高）、寬溫域等方面具有顯著優(yōu)勢，逐漸成為高壓儲(chǔ)能領(lǐng)域的新興材料。非晶納米晶材料在儲(chǔ)能領(lǐng)域的應(yīng)用集中于電力電子轉(zhuǎn)換的核心環(huán)節(jié)，主要包括：

一是DC-DC 變換器的濾波電感與共模電感：用于抑制高頻噪聲，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性；

二是LLC 電路變壓器 / 電感：通過高飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度（Bs）和低損耗特性，優(yōu)化能量傳輸效率；

三是輸入輸出端電感：在高壓化趨勢下，需承受更大電流應(yīng)力，非晶納米晶材料的抗飽和能力顯著優(yōu)于傳統(tǒng)材料。

然而，非晶納米晶材料在儲(chǔ)能領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用仍存在多維度挑戰(zhàn)，主要體現(xiàn)在：

在高頻損耗與熱管理方面，高壓化導(dǎo)致開關(guān)頻率提升，材料需在高頻下保持低損耗，避免過熱失效。

在抗飽和與環(huán)境穩(wěn)定性方面，大功率場景下，非晶納米晶材料易因不平衡電流進(jìn)入飽和狀態(tài)，需兼顧高 Bs 與抗直流偏置能力。

在環(huán)境適應(yīng)性方面，需通過鹽霧腐蝕、溫濕度循環(huán)（-40℃~+85℃，濕度 95% RH）等測試，確保非晶納米晶材料在復(fù)雜工況下長期穩(wěn)定運(yùn)行。

在異形結(jié)構(gòu)適配方面，儲(chǔ)能模塊小型化要求磁芯結(jié)構(gòu)多樣化（如E-I 型、階梯式或組合型），非晶納米晶材料難以滿足復(fù)雜結(jié)構(gòu)需求。

在與新型器件的協(xié)同優(yōu)化方面，SiC/GaN 器件開關(guān)速度達(dá) 100V/ns，需材料高頻響應(yīng)能力（截止頻率 > 1MHz）與之匹配。非晶納米晶材料的高電阻率（1.2μΩ?cm）可有效降低渦流損耗。

“實(shí)際上，非晶納米晶材料現(xiàn)在在很多場景的性能都是有冗余的，相較于性能能做得多么好，我們目前更關(guān)注如何提高非晶納米晶材料穩(wěn)定性，降低客戶的生產(chǎn)成本。我們的優(yōu)勢是在高磁導(dǎo)率狀態(tài)下，依然保持良好的溫度穩(wěn)定性，并且繞線后的性能衰減明顯更小”郭振偉表示。

相比于非晶納米晶材料本身的限制，非晶納米晶行業(yè)目前的主要痛點(diǎn)在于：非晶納米晶材料的標(biāo)準(zhǔn)化難度較大，且客戶對非晶納米晶材料的了解有限，許多仿真軟件中甚至未包含非晶納米晶材料的選項(xiàng)。并且在設(shè)計(jì)端印象中非晶納米晶材料價(jià)格比較高，設(shè)計(jì)的時(shí)候不會(huì)考慮。

實(shí)際上，盡管非晶納米晶材料的初始成本相對較高，但由于其能夠有效減少元件體積、降低銅線用量，并減少散熱處理成本，綜合來看非晶納米晶材料成本可能更具優(yōu)勢。

他補(bǔ)充道：“因此，相較于單純追求性能的極致提升，當(dāng)前我們的戰(zhàn)略更傾向于拓寬非晶納米晶材料的應(yīng)用范圍，提高非晶納米晶材料的穩(wěn)定性，使其適用于更多場景，從而更好的發(fā)揮非晶納米晶材料的優(yōu)勢，為客戶解決設(shè)計(jì)上的實(shí)際問題。”

二、雙低納米晶儲(chǔ)能解決方案

佳友非晶作為一家專業(yè)生產(chǎn)非晶納米晶磁芯的企業(yè)，儲(chǔ)能一直是其重點(diǎn)關(guān)注市場。在高壓儲(chǔ)能領(lǐng)域，佳友非晶的非晶納米晶產(chǎn)品主要應(yīng)用在以下幾個(gè)部位：

1.高頻LLC電感：軟磁材料Bs（飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度）越高，磁芯抗飽和能力越強(qiáng)；Hc（矯頑力）越低，磁滯損耗越小。納米晶環(huán)形磁芯（Bs=1.2T@25℃/1kHz）較Mn-Zn鐵氧體（Bs=0.4T）提升3倍，配合低矯頑力（Hc<0.5A/m），在 100kHz/0.2T工況下鐵損低于50kW/m3，實(shí)現(xiàn)體積減少40%、效率提升2.3%以上。通過環(huán)氧樹脂粉末靜電涂裝提升絕緣強(qiáng)度（耐壓>5kV），適配1500V高壓系統(tǒng)。

2.抗飽和濾波電感：針對高壓化趨勢，開發(fā) μ=＜500低磁導(dǎo)率納米晶磁芯，通過恒溫、恒速度、恒張力退火工藝精準(zhǔn)調(diào)控磁導(dǎo)率，在 100A 直流偏置下電感量下降 < 10%，滿足并網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)對電流紋波的要求。

3.EMI濾波共模電感/線束磁環(huán)：閉環(huán)磁芯結(jié)構(gòu)配合寬頻阻抗特性（10kHz-10MHz），有效濾除高頻噪聲，提升系統(tǒng)EMC性能。

針對前文提到的難題，佳友非晶有以下方案：

1、高頻低損耗磁環(huán)技術(shù)開發(fā)

采用0.018mm以下厚度的納米晶薄帶化設(shè)計(jì)，降低渦流損耗。同時(shí)通過精確退火，將晶粒尺寸控制在10~15nm，可使磁滯損耗降低20%左右。

2、熱管理與應(yīng)力穩(wěn)定性

雖然納米晶的居里溫度比較高（550℃以上），但目前的納米晶磁環(huán)125℃以上時(shí)普遍會(huì)有20%左右的磁導(dǎo)率衰減，超過了材料本身磁導(dǎo)率溫度衰減（125℃衰減6%左右）。

郭振偉提到：“我們認(rèn)為原因是非晶行業(yè)一般使用樹脂浸泡烘干的方式固化磁環(huán)，磁環(huán)本身和疊片間隙中固化液、空氣的熱膨脹系數(shù)不同，導(dǎo)致磁環(huán)受內(nèi)應(yīng)力影響。”

對此，佳友非晶自研調(diào)配出復(fù)合配方的固化液，通過添加復(fù)合填料降低固化液CTE，保持與磁環(huán)的熱膨脹系數(shù)接近，目前可以實(shí)現(xiàn)125℃情況下，電感衰減≤12%，同時(shí)大幅減少了磁環(huán)繞線后的感量衰減情況。

3、耐高壓與環(huán)境穩(wěn)定性

傳統(tǒng)的非晶、納米晶磁環(huán)一般需要加外殼、噴漆或者是環(huán)氧樹脂粉末靜電噴涂來保護(hù)磁環(huán)和提供絕緣強(qiáng)度，近年來因?yàn)樾⌒突⒓苫膯栴}，裝盒的占比減少。而噴漆會(huì)有環(huán)保的問題，所以噴涂的占比越來越高。

佳友非晶開創(chuàng)性的使用了高分子鍍膜方式代替?zhèn)鹘y(tǒng)的噴漆和噴涂，在涂層厚度不超過0.1mm的情況下可達(dá)到6kV以上耐壓，并且膜層的環(huán)境適應(yīng)性更強(qiáng)，已通過鹽霧腐蝕（ISO 9227）、溫濕度循環(huán)（-40℃~+85℃，濕度 95% RH）等測試，可確保磁環(huán)在復(fù)雜工況下長期穩(wěn)定運(yùn)行。

從左到右依次是：未處理過磁環(huán)、鍍膜后磁環(huán)、裝外殼磁環(huán)

三、高低溫下感量變化≤12%，佳友非晶如何應(yīng)對高壓高頻挑戰(zhàn)

在高電壓趨勢下，儲(chǔ)能領(lǐng)域?qū)Ψ蔷Ъ{米晶的需求呈現(xiàn)出以下三種趨勢：

一是高頻化與小型化：隨著SiC/GaN器件的普及，儲(chǔ)能系統(tǒng)工作頻率提升至MHz級(jí)別，要求材料具備更低損耗和更高磁導(dǎo)率。同時(shí)要配合元件集成的要求，縮小磁環(huán)體積。

二是低成本化：隨著規(guī)模化應(yīng)用，對磁元件和磁環(huán)廠家的成本控制要求也更嚴(yán)格。

三是環(huán)境穩(wěn)定性：極端環(huán)境下磁導(dǎo)率波動(dòng)需控制在±20%以內(nèi)；需要通過鹽霧試驗(yàn)。

目前，儲(chǔ)能系統(tǒng)正朝高壓化趨勢發(fā)展（如2000V系統(tǒng)），這對非晶納米晶材料提出了新要求。

首先，2000V系統(tǒng)對磁芯絕緣層的耐壓要求顯著提升，2000V系統(tǒng)磁芯絕緣需通過6kV/1min工頻耐壓測試，并且需要通過濕熱循環(huán)測試（85℃/85% RH，持續(xù)1000小時(shí)）。

其次，由于2000V系統(tǒng)母線電流可高達(dá)數(shù)百安培，材料的抗飽和能力也需要進(jìn)一步強(qiáng)化，并且要求具備低磁致伸縮系數(shù)（小于2ppm），以有效減少振動(dòng)和噪聲。

此外，磁環(huán)的形狀不再局限于傳統(tǒng)的環(huán)形，還需要滿足更多樣化的適配性要求。

針對上述趨勢，佳友非晶非晶通過材料創(chuàng)新、工藝革新及產(chǎn)業(yè)協(xié)同等方式，全面布局應(yīng)對儲(chǔ)能高壓化、高頻化挑戰(zhàn)。

在材料創(chuàng)新方面，公司正著手開發(fā)適用于3MHz以上高頻場景的超低損耗納米晶材料，同時(shí)持續(xù)改良工藝，推動(dòng)國內(nèi)納米晶磁環(huán)的高溫穩(wěn)定性達(dá)到國際先進(jìn)水平，并規(guī)劃探索下一代復(fù)合磁材技術(shù)，包括探索Fe-Co基非晶/納米晶復(fù)合材料（Bs＞1.6T）、石墨烯復(fù)合技術(shù)以及其他軟磁材料復(fù)合技術(shù)等。

在工藝革新上，引入磁性能預(yù)測模型，優(yōu)化退火工藝參數(shù)，有效縮短研發(fā)周期。

此外，在標(biāo)準(zhǔn)化與生態(tài)協(xié)同方面，聯(lián)合頭部企業(yè)制定高壓儲(chǔ)能的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，涵蓋耐壓等級(jí)、高頻損耗測試方法等，并與半導(dǎo)體廠商聯(lián)合開發(fā)高頻磁-電協(xié)同設(shè)計(jì)方案，以提升系統(tǒng)能效。

結(jié)語

建設(shè)儲(chǔ)能系統(tǒng)不僅可以實(shí)現(xiàn)峰谷套利，還能有效平抑電網(wǎng)供需波動(dòng)，該市場已成為眾多資本競相布局的熱點(diǎn)領(lǐng)域。而佳友非晶非晶的技術(shù)布局不僅著眼于滿足當(dāng)前市場需求，更致力于通過3-5年的前瞻性研發(fā)，為行業(yè)未來發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)支撐。

展望未來，具備高頻低損耗、耐高壓、高穩(wěn)定性以及低成本特性的非晶納米晶材料企業(yè)，有望在市場競爭中脫穎而出，贏得更多發(fā)展機(jī)遇。

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審核編輯 黃宇