聚焦離子束（FIB）技術作為一種高精度的微觀加工和分析工具，在半導體行業具有不可替代的重要地位。它通過聚焦離子束直接在材料上進行操作，無需掩模，能夠實現納米級精度的成像和修改，特別適合需要高精度的任務。金鑒實驗室作為專注于材料分析領域的科研檢測機構，能夠對FIB進行嚴格的檢測，致力于為客戶提供高質量的測試服務，為產品在各個領域的可靠應用提供堅實的質量保障。

FIB 技術的應用領域

1.缺陷分析

在半導體制造過程中，缺陷檢測和分析是確保產品質量的關鍵環節。FIB 技術能夠對芯片內部的缺陷進行高分辨率成像和分析，幫助工程師快速定位缺陷位置，確定缺陷類型和成因。通過精確的離子束掃描，可以觀察到微觀結構中的缺陷細節，為后續的工藝改進和優化提供重要依據。

2.電路修改

FIB 技術在電路修改方面具有獨特的優勢。它允許設計人員在芯片內部切割跡線或添加金屬連接，實現對電路的快速編輯和修改。這種操作不僅快捷簡便，而且成本較低，僅為晶圓廠制造一批新晶圓的極小一部分。使用當今最先進的設備，可以編輯采用 28 納米及更小工藝節點制造的電路，這些電路具有多層金屬堆疊，并采用倒裝芯片等先進封裝形式。

3.光掩模修復

光掩模是半導體制造中用于圖案轉移的關鍵工具，其質量直接影響到芯片的制造精度。FIB 技術可以對光掩模進行快速修復，通過精確的離子束銑削和沉積，修復掩模上的缺陷或錯誤圖案，從而延長光掩模的使用壽命，降低生產成本。

4.TEM 樣品制備

透射電子顯微鏡（TEM）是研究材料微觀結構的重要手段，但需要制備超薄樣品。FIB 技術能夠精確地將樣品減薄到納米級厚度，同時保持樣品的結構完整性，為 TEM 分析提供高質量的樣品。通過 FIB 制備的樣品可以清晰地觀察到材料的晶體結構、界面特征和缺陷分布等信息。

5.故障分析

在半導體產品的使用過程中，可能會出現各種故障。FIB 技術可以對故障芯片進行快速定位和分析，通過精確的離子束掃描和成像，找到故障點的位置，并分析故障的成因。這對于產品的可靠性評估和改進具有重要意義。

FIB 技術的操作指導

1.樣品加載

在進行 FIB 操作之前，需要將樣品正確地加載到樣品臺上。

樣品表面必須清潔，無污染和雜質，以確保離子束能夠準確地作用在樣品表面。

樣品的放置位置要準確，確保樣品的感興趣區域位于離子束的掃描范圍內。

樣品與樣品臺的接觸要牢固，避免在操作過程中樣品發生移動或偏移。

2.成像

FIB 技術的成像過程是通過離子束掃描樣品表面，收集二次電子信號或背散射電子信號來形成圖像。

3.修改

FIB 技術的修改過程是通過離子束對樣品進行銑削或沉積，以實現對樣品的結構和性能的改變。

聚焦離子束（FIB）技術作為一種高精度的微觀加工和分析工具，在半導體量產中具有廣泛的應用前景。它能夠實現納米級精度的成像和修改，特別適合缺陷分析、電路修改、光掩模修復、TEM 樣品制備和故障分析等任務。