熱功率器件設計的方案介紹
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
Intersil
+關注
關注
5文章
229瀏覽量
73441
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型
/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高
功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高
功率器件熱設計基礎（六）——瞬態熱測量
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高
功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散
樣品活動進行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱
功率器件熱設計及散熱計算
當前，電子設備的主要失效形式就是熱失效。據統計，電子設備的失效有55％是溫度超過規定值引起的，隨著溫度的增加，電子設備的失效率呈指數增長。所以，功率器件熱設計是電子設
發表于 10-09 14:09
?8270次閱讀
功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯和并聯
/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高
功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數
樣品活動進行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱
功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子
/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高
功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高
工商網監
評論