近兩年以來，全球內存芯片市場價格持續飆升，多次刷新了行業認知。其中，DRAM內存漲價現象尤為明顯。除了上游產能不足之外，下游市場的旺盛需求也是最大的推動因素。在此帶動下，全球內存芯片市場規模自然水漲船高。市調機構IC Insight也預測，2018年全球DRAM內存芯片總價值將首次突破1000億美元大關。

▲來源：IC Insight

韓國企業獲利最多

我們都知道，全球存儲芯片市場主要被幾家企業把控。

其中，DRAM領域全球主要生產廠商只有三星、海力士和鎂光三家爭霸，而三星一家獨占了全球市場的45%。而在NAND閃存方面，三星、東芝、鎂光和海力士四家占據了全球超過90%的市場，而僅三星一家就占據了37%市場份額。另外，海力士在DRAM內存和NAND閃存方面也分別占據了28%及10%市場份額。

由此可見，自2016年開始的存儲芯片漲價潮，韓國企業獲利最多，對于企業營收貢獻也非常明顯，三星電子就是一個很好的案例。

▲圖 | 三星電子DS部門銷售額（芯師爺制圖）

據了解，2018年上半年三星電子DS部門銷售額為56.05萬億韓元，在三星集團整體銷售額中占比47.1%。而生產智能手機的IT&移動通信銷售額為52.42萬億韓元，在三星集團整體銷售額中占比44.1%。這也是三星集團DS部門銷售額首次超過IT&移動通信事業部，其中存儲芯片起到了巨大推動作用。

對于三星電子DS部門而言，數據中心使用的DRAM芯片和大容量存儲的NAND閃存需求持續旺盛，推動半導體業務繼續實現強勁盈利。除此之外，三星電子其他業務表現低迷，特別是智能手機方面。由此可見，存儲業務已經成為三星電子業績最主要推動力，對于其后續表現非常重要。

市場迎來新的玩家

對于全球存儲市場而言，在經過多年調整之后，已經只剩下幾個巨頭，但是國內存儲芯片領域的快速崛起，將打破這一格局。其中，主要以長江存儲、福建晉華集成電路公司、安徽合肥Innotro存儲公司為主。

在DRAM芯片方面，晉華已經開始了8Gb LPDDR4內存芯片的試生產。預計在2018年年底之前，晉華和聯華電子共同開發的第一代DRAM內存生產工藝將投入使用。而Innotron公司已經對外展示了使用19nm技術生產的8Gb DDR4內存芯片工程樣片，該產品預計于 2018 年底上市，計劃于 2019 年上半年正式量產。

另外，在NAND閃存方面，長江存儲已經獲得了一萬套32層3D NAND閃存芯片的訂單。而其正在研發的64層3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品。

而就在本月7號，長江存儲也首次公布了其新開發的3D NAND架構Xtacking的技術細節。并成功將Xtacking技術應用于其第二代3D NAND產品的開發，該產品預計于2019年進入量產階段，將應用于智能手機、個人計算、數據中心和企業應用等領域。

長江存儲預計到2020年形成月產能30萬片的生產規模，到2030年建成每月100萬片的產能。

由此可見，經過幾年的前期投入，國內儲存領域即將進入產能釋放期。對于全球市場而言，也是一股無法忽視的力量。

2019年價格拐點將至？

面對存儲市場的旺盛需求，不僅僅是國內廠商在加緊投資布局，全球巨頭三星和海力士也沒有閑下來，進一步投資爭搶市場。

2017年8月30日，三星電子與陜西省政府簽署了投資合作協議，追加投資70億美元，在西安高新綜合保稅區內建設三星（中國）半導體有限公司存儲芯片二期項目，以應對全球IT市場對高端V-NAND產品需求的增加。2018年初，該項目已經正式啟動。

另外，海力士也宣布將投資134億美元（約合人民幣916億元）在韓國建設新的內存工廠，并計劃于2020年建成投產，目前還不確定產品類型和產能。

通過以往存儲市場走勢來看，產能的釋放勢必將帶來存儲價格的下調，NAND閃存就是一個很好的案例。目前，NAND閃存芯片價格已經大幅回落，然而DRAM內存芯片依舊居高不下。

從上面進程我們也不難發現，國內三大存儲廠商將集中在2019年實現量產。但據芯師爺觀察，這三家企業2019年月產能還還比較低，真正的產能釋放還要到2020年。其中，長江存儲預計2020年月產能為30萬片，福建晉華則預計為24萬片。

目前，海力士在無錫的DRAM芯片晶圓廠，是全球重要的DRAM芯片基地之一。目前，一期工程產能在10-12萬片晶圓/月，預計二期建成后產能將達到20萬片晶圓/月。

由此可見，國內廠商產能最快將在2020年才會對全球市場帶來重要影響，2019年僅僅是一個開端。但對于國內存儲市場而言，2019年被稱為拐點也合情合理，至少是打破了國外巨頭長期壟斷局面。