新型封裝組件DFN3030-10B冷卻柱形,具有高散熱性
特瑞仕半導體株式會社，于2018年7月舉行了冷卻柱形新型封裝組件DFN3030-10B的首次出廠儀式。
本封裝組件是與株式會社加藤電器制作所共同開發的封裝組件(DFN3030-10B)，采用從封裝組件的頂面貫穿底面的銅柱形結構、能把線圈的熱量直接發散到實裝電路板（印制板）的小型、高散熱性封裝組件。由于線圈在封裝組件的外部，對應微模塊的產品規格、能選擇繞組（鐵氧體，金屬合金）、疊片等線圈，耐高壓和大電流化有利于微模塊向小型化進步。
此外，本封裝組件在管理和保管產品（防潮管理）方面優越，實現了MSL-1。
在株式會社加藤電器制作所舉行的出廠儀式
DFN3030-10B封裝組件的特長
通過貫穿電路板的銅柱把從線圈發出的熱量發散到電路板。因為對線圈的種類沒有要求，能對應耐高壓、大電流化的微模塊。
"microDC/DC" 封裝
銅柱的散熱特性
當線圈中流入1400mA的電流時，線圈整體溫度上升狀況
（1）有銅柱（Ta=25℃） （2）沒有銅柱（Ta=25℃）
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原文標題：小型、高散熱性冷卻柱形封裝組件DFN3030-10B
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