GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT,屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品的低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸;即使在1MHz的高頻段,電源效率也可達到96.5%以上。另外,通過采用通用性高的DFN封裝,不僅散熱性能出色,還非常易于安裝。
*附件:GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數據手冊.pdf
特點
- E-mode
- 使用 DFN 封裝,可靠且易于使用
- 高門極電壓最大額定值 8V
- 非常高的開關頻率
主要規格
- 型號 | GNE1008TB
- 封裝 | DFN5060
- 包裝形態 | Taping
- 包裝數量 | 2500
- 最小獨立包裝數量 | 2500
- RoHS | Yes
絕對最大額定值
電氣特性
反向傳導電氣特性
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
GaN
+關注
關注
19文章
2114瀏覽量
75605 -
數據手冊
+關注
關注
95文章
6195瀏覽量
43251 -
HEMT
+關注
關注
2文章
73瀏覽量
12988
發布評論請先 登錄
相關推薦
富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產品
今天,富士通半導體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150V。用戶可設計出體積更小、效率更高電源組件,可廣泛應用于ICT設備、工業設備與汽車電子等領域。
發表于 07-23 15:00
?1218次閱讀
GaN HEMT在電機設計中有以下優點
電機設計中對于GaN HEMT的使用GaN HEMT的電氣特性使得工程師們選擇它來設計更加緊湊、承受高壓和高頻的電動機,綜上所述這類器件有如下優點:較高的擊穿電壓,允許使用更高(大于1
發表于 07-16 00:27
GaN HEMT可靠性測試:為什么業界無法就一種測試標準達成共識
可靠性測試的問題。“如果人們看一下科學文獻,基于GaN的HEMT可靠性的知識數據庫似乎具有一些特征,表明成熟度目標仍然遙遙領先。”如果基于GaN的H
發表于 09-23 10:46
基于GaN HEMT的半橋LLC優化設計和損耗分析
目前傳統硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限, 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲,效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT(gallium
發表于 09-18 07:27
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率
發表于 08-18 12:00
?1377次閱讀
ROHM確立150V耐壓GaN器件量產體制 Danfoss在中國量產電機
全球知名半導體制造商ROHM已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列 (GNE1040TB)”的量產體制,該系列產
CODACA科達嘉工字型插件電感PKS1008-150K數據手冊
CODACA科達嘉工字型插件電感PKS1008-150K數據手冊免費下載。工字型插件電感PKS1008-150K,電感值15μH
發表于 05-20 14:14
?0次下載
ROHM開發出針對150V GaN HEMT的8V柵極
150V耐壓GaNHEMT*1(以下簡稱"GaN器件")的高達8V柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2技術。近幾年來,隨著IoT設備需求的不斷增長,功率轉換效率的提

LTC7066:150V 半橋半橋司機,有浮動地和可調整死亡時間數據表 ADI
表的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,LTC7066:150V 半橋半橋司機,有浮動地和可調整死亡時間數據表真值表,LTC7066:15
發表于 10-10 18:45

GNE1040TB柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT數據手冊
的電源效率在1MHz的高頻段也高達96.5%以上。另外,該產品采用支持大電流且具有出色散熱性的通用型DFN封裝,這使得安裝工序的操作更容易。采用DFN5060 封裝,屬于

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊
) ,導通電阻 70mΩ,柵極電荷 5.2nC。 *附件:GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊.pdf 主要規格 型

評論