GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT，屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品的低導通電阻和高速開關的特性，有助于提高功率轉換效率并減小產(chǎn)品尺寸；即使在1MHz的高頻段，電源效率也可達到96.5%以上。另外，通過采用通用性高的DFN封裝，不僅散熱性能出色，還非常易于安裝。
*附件：GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊.pdf
特點
- E-mode
- 使用 DFN 封裝，可靠且易于使用
- 高門極電壓最大額定值 8V
- 非常高的開關頻率
主要規(guī)格
- 型號 | GNE1008TB
- 封裝 | DFN5060
- 包裝形態(tài) | Taping
- 包裝數(shù)量 | 2500
- 最小獨立包裝數(shù)量 | 2500
- RoHS | Yes
絕對最大額定值
電氣特性
反向傳導電氣特性
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
GaN
+關注
關注
19文章
2178瀏覽量
76194 -
數(shù)據(jù)手冊
+關注
關注
95文章
6204瀏覽量
43507 -
HEMT
+關注
關注
2文章
73瀏覽量
13321
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品
今天，富士通半導體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵（GaN）功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150V。用戶可設計出體積更小、效率更高電源組件，可廣泛應用于ICT設備、工業(yè)設備與汽車電子等領域。
發(fā)表于 07-23 15:00
?1261次閱讀
GaN HEMT在電機設計中有以下優(yōu)點
電機設計中對于GaN HEMT的使用GaN HEMT的電氣特性使得工程師們選擇它來設計更加緊湊、承受高壓和高頻的電動機，綜上所述這類器件有如下優(yōu)點：較高的擊穿電壓，允許使用更高（大于1
發(fā)表于 07-16 00:27
GaN HEMT可靠性測試：為什么業(yè)界無法就一種測試標準達成共識
可靠性測試的問題。“如果人們看一下科學文獻，基于GaN的HEMT可靠性的知識數(shù)據(jù)庫似乎具有一些特征，表明成熟度目標仍然遙遙領先。”如果基于GaN的H
發(fā)表于 09-23 10:46
基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設計和損耗分析
目前傳統(tǒng)硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲，效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
發(fā)表于 09-18 07:27
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率
發(fā)表于 08-18 12:00
?1408次閱讀
ROHM確立150V耐壓GaN器件量產(chǎn)體制 Danfoss在中國量產(chǎn)電機
全球知名半導體制造商ROHM已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列 （GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)
CODACA科達嘉工字型插件電感PKS1008-150K數(shù)據(jù)手冊
CODACA科達嘉工字型插件電感PKS1008-150K數(shù)據(jù)手冊免費下載。工字型插件電感PKS1008-150K，電感值15μH
發(fā)表于 05-20 14:14
?0次下載
ROHM開發(fā)出針對150V GaN HEMT的8V柵極
150V耐壓GaNHEMT*1(以下簡稱"GaN器件")的高達8V柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2技術。近幾年來,隨著IoT設備需求的不斷增長,功率轉換效率的提
LTC7066:150V 半橋半橋司機,有浮動地和可調(diào)整死亡時間數(shù)據(jù)表 ADI
表的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LTC7066:150V 半橋半橋司機,有浮動地和可調(diào)整死亡時間數(shù)據(jù)表真值表，LTC7066:15
發(fā)表于 10-10 18:45
微波GaN HEMT 技術面臨的挑戰(zhàn)
報告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰(zhàn)
發(fā)表于 12-14 11:06
?727次閱讀
GNE1040TB柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT數(shù)據(jù)手冊
的電源效率在1MHz的高頻段也高達96.5%以上。另外，該產(chǎn)品采用支持大電流且具有出色散熱性的通用型DFN封裝，這使得安裝工序的操作更容易。采用DFN5060 封裝，屬于
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
） ，導通電阻 70mΩ，柵極電荷 5.2nC。 *附件：GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊.pdf 主要規(guī)格 型
工商網(wǎng)監(jiān)
評論