近日，國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收。該***由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制，光刻分辨力達到22納米，結(jié)合雙重曝光技術(shù)后，未來還可用于制造10納米級別的芯片。

中科院理化技術(shù)研究所許祖彥院士等驗收組專家一致表示，該***在365納米光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線，繞過國外相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)壁壘。

***是制造芯片的核心裝備，我國在這一領(lǐng)域長期落后。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把母版上的精細(xì)圖形通過曝光轉(zhuǎn)移至硅片上，一般來說，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高。但傳統(tǒng)光刻技術(shù)由于受到光學(xué)衍射效應(yīng)的影響，分辨力進一步提高受到很大限制。

為獲得更高分辨力，傳統(tǒng)上采用縮短光波、增加成像系統(tǒng)數(shù)值孔徑等技術(shù)路徑來改進***，但技術(shù)難度極高，裝備成本也極高。

項目副總設(shè)計師胡松介紹，中科院光電所此次通過驗收的表面等離子體超分辨光刻裝備，打破了傳統(tǒng)路線格局，形成一條全新的納米光學(xué)光刻技術(shù)路線，具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，為超材料/超表面、第三代光學(xué)器件、廣義芯片等變革性領(lǐng)域的跨越式發(fā)展提供了制造工具。

據(jù)了解，這種超分辨光刻裝備制造的相關(guān)器件已在中國航天科技集團公司第八研究院、電子科技大學(xué)、四川大學(xué)華西醫(yī)院、中科院微系統(tǒng)所等多家科研院所和高校的重大研究任務(wù)中得到應(yīng)用。