美國SSDI推出GaN FET 用于航空航天及電力電子系統
美國固態設備公司（SSDI）推出用于航空航天和國防用高壓氮化鎵（GaN）功率場效應晶體管（FET）SGF46E70系列，可用于高效DC-DC、PoL轉換器、電機控制器、機器人和自動化。
SGF46E70系列是46A、700V，可選TO-254通孔封裝和SMD1表貼封裝。SGF15E100是15A、1000V，采用TO-257封裝。兩個系列均是結合了GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）和低壓硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）驅動器的共源共柵器件。
GaN產品以其改進的品質因數（RDS（ON）x QG）而聞名，與傳統硅MOSFET相比，可提供更快的開關速度。低壓、非密封GaN器件廣泛用于商業應用，但SSDI專注于高功率、高壓航空航天和國防應用的密封解決方案。
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原文標題：GaN|美國SSDI公司推出GaN FET，適用于航空航天和國防機器人及自動化領域電力電子系統
文章出處：【微信號：gh_030b7610d46c，微信公眾號：GaN世界】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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