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高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:郭婷 ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2019-02-28 09:06 ? 次閱讀

簡(jiǎn)介

雖然電解電容長(zhǎng)期以來(lái)一直是需要大于100μF電容的去耦應(yīng)用的首選解決方案,但這些器件具有固有的可靠性和使用壽命問(wèn)題,并且通常是第一個(gè)失效的元件。多層陶瓷電容器MLCC)技術(shù)的進(jìn)步現(xiàn)在為設(shè)計(jì)人員提供了傳統(tǒng)電解電容器的高電容替代品。與電解相比,新的高值MLCC具有更低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和電感(ESL)的優(yōu)勢(shì),并且證明平均故障時(shí)間(MTTF)為10,000至超過(guò)1,000,000年。高價(jià)值MLCC的應(yīng)用包括汽車電子,醫(yī)療電子和工業(yè)設(shè)備。

本文介紹了TAIYO YUDEN高級(jí)MLCC產(chǎn)品背后的材料科學(xué)。它還提供了比較性能和價(jià)格數(shù)據(jù),以顯示這些陶瓷電容器如何比聚合物電容器具有顯著優(yōu)勢(shì)。

高電容MLCCS與聚合物電容器相比

高電容MLCC提供了顯著改進(jìn)等效聚合物電容器性能和價(jià)格的比較證明了MLCC在需要高電容值和/或其他系統(tǒng)級(jí)改進(jìn)的設(shè)計(jì)中取代聚合物電容器的潛力。

性能比較

除了與電解裝置相比,MLCC拓?fù)涞墓虘B(tài)特性提供了機(jī)械優(yōu)勢(shì),許多顯著的電氣性能改善也很明顯。

更低的ESR和ESL

圖1顯示了與330μF聚合物電容器相比,100μF,220μF和330μFMLCC的等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)。除了降低ESR和ESL值的系統(tǒng)損耗之外,MLCC的外殼尺寸和印刷電路板占板面積也大大減小。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖1:與聚合物電容器相比,100μF,220μF和330μF的MLCC。

使用更緊湊的MLCC進(jìn)行下垂測(cè)試的可比結(jié)果

在特定應(yīng)用中,MLCC可提供與聚合物電容器類似的性能,同時(shí)顯著減少安裝尺寸。圖2顯示了競(jìng)爭(zhēng)性聚合物器件與下垂測(cè)試中選擇的100μFMLCC的比較結(jié)果。 (注意MLCC如何提供類似的結(jié)果,尺寸為?到1/6的足跡。)

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖2:類似于MLCC的下垂測(cè)試性能可比較的電解質(zhì)。

具有更小外殼尺寸的可比紋波性能

圖3顯示了150μF,220μF和330μFMLCC的紋波電壓和電壓降波形與330相比μF和470μF聚合物器件。與聚合物器件相比,150μFMLCC的紋波電壓略有改善,而220μF和330μFMLCC的紋波性能得到顯著改善。同樣,盡管提供相同或更好的性能,MLCC提供更緊湊的封裝。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖3:100μF,220μF和330μF的MLCC與聚合物電容器相比。

在高頻范圍內(nèi)具有出色的穩(wěn)定性

MLCC提供的一項(xiàng)更顯著的改進(jìn)是隨著電容隨頻率的變化而減小。圖4比較了MLCC和聚合物設(shè)計(jì)的頻率特性。在100 Hz至100 MHz的頻率范圍內(nèi),四個(gè)MLCC的變化僅為8%至12%,而六個(gè)聚合物器件的變化為18%至80%。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖4:與聚合物電容器相比,MLCC的電容值對(duì)頻率的影響。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖5:MLCC的優(yōu)勢(shì)在于與聚合物電容器相當(dāng)?shù)膬r(jià)位。 (基于市場(chǎng)研究的價(jià)格比較;實(shí)際價(jià)格可能會(huì)有所不同。)

價(jià)格比較

更高價(jià)值的MLCC成本與聚合物電容器相當(dāng),如圖5所示。作為電容值MLCC繼續(xù)與聚合物電容器競(jìng)爭(zhēng)激烈。然而,在所有價(jià)位上,MLCC通過(guò)提供非極性設(shè)計(jì)方法來(lái)改善設(shè)計(jì),簡(jiǎn)化制造工藝,降低ESR,ESL并減少占地面積。

MLCC應(yīng)用示例

MLCC在電解質(zhì)的性能包括物理尺寸和電氣優(yōu)勢(shì)。此外,在某些應(yīng)用中,使用更低電容(甚至更?。┑腗LCC可以實(shí)現(xiàn)相當(dāng)?shù)男阅堋?/p>

電源輸出電壓穩(wěn)定

為了提高效率,今天的數(shù)字產(chǎn)品越來(lái)越多地配備開(kāi)關(guān)型電源。這些電源電路使用高值電容器的組合來(lái)平滑輸出并確保最終產(chǎn)品中其他電路的穩(wěn)定運(yùn)行。圖6顯示了使用MLCC改善降壓轉(zhuǎn)換器中波形的示例。

高價(jià)值MLCC技術(shù)在此應(yīng)用中的重要優(yōu)勢(shì)是顯著減小了元件尺寸并減少了兩者與電解質(zhì)相比,ESR和ESL。圖6描述了電容器的低ESR和ESL如何有助于降低紋波電流。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖6:降壓轉(zhuǎn)換器中的紋波電壓發(fā)生機(jī)制電容的ESR和ESL。

噪聲濾波

在高頻時(shí),MLCC可以濾除RF噪聲,并將高頻尖峰對(duì)其他電路的破壞性影響降至最低。圖7顯示了此應(yīng)用程序的一個(gè)示例。 MLCC在更寬的頻率范圍內(nèi)具有更好的性能,并且具有低ESR和ESL,因此非常適合此應(yīng)用。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖7:RF噪聲去耦使用MLCC的好處。

TAIYO YUDEN MLCC產(chǎn)品的發(fā)展和技術(shù)

圖8顯示了各種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝中批量生產(chǎn)的高電容MLCC的發(fā)展。如圖所示,MLCC的趨勢(shì)是朝向更高的電容和縮小的形狀因子。 TAIYO YUDEN是提供增加電容的多層陶瓷電容器的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖8:MLCC技術(shù)朝著更小尺寸和更高電容的趨勢(shì)。

2013年9月,該公司率先生產(chǎn)330μFMLCC,一年后宣布推出470μF設(shè)備。隨著加速發(fā)展,該公司承諾在不久的將來(lái)增加更高電容的設(shè)備。 TAIYO YUDEN在MLCC技術(shù)方面的發(fā)展,包括領(lǐng)先的微制造技術(shù)以及尖端的高精度分層技術(shù),在過(guò)去五年中電容增加了十倍。圖9顯示了過(guò)去30年來(lái)TAIYO YUDEN MLCC的歷史。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖9:TAIYO YUDEN MLCC大規(guī)模生產(chǎn)的歷史。

材料科學(xué)推動(dòng)了性能提升

MLCC需要各種關(guān)鍵技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)越來(lái)越高的價(jià)值。如圖10所示,這些技術(shù)包括:

超細(xì)粉末技術(shù)

核殼結(jié)構(gòu)

薄層技術(shù)

印刷技術(shù)

多層技術(shù)

模擬技術(shù)

每個(gè)領(lǐng)域的進(jìn)步都有助于TAIYO YUDEN始終如一地保持高水平全行業(yè)的MLCC值。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖10:MLCC實(shí)現(xiàn)高電容值的關(guān)鍵技術(shù)。

TAIYO YUDEN材料技術(shù)

超高端產(chǎn)品中使用的單層材料片材的厚度從微米縮小到亞微米。 TAIYO YUDEN近期技術(shù)創(chuàng)新的近期目標(biāo)是到2016年生產(chǎn)1000μF陶瓷電容器。隨著最近在2013年推出330μF和2014年推出470μF的成功,正在朝著這一目標(biāo)取得重大進(jìn)展。/p》

鈦酸鋇是使TAIYO YUDEN繼續(xù)尋求從原材料水平到制造的各個(gè)階段向市場(chǎng)提供小尺寸,高產(chǎn)量和高價(jià)值產(chǎn)品的關(guān)鍵原材料。圖11顯示了EIA Class 2 MLCC的制造方法和元件級(jí)技術(shù)。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖11:TAIYO的制造方法和元件技術(shù)YUDEN MLCC。

能夠大批量生產(chǎn)緊湊型和高電容產(chǎn)品的核心技術(shù)是能夠制造薄且均勻的電介質(zhì)。通過(guò)控制電介質(zhì)的厚度,TAIYO YUDEN目前擁有在厚度小于1微米的區(qū)域內(nèi)具有絕緣性能的技術(shù)。

通過(guò)控制粉末來(lái)制造薄而均勻的薄板,從而提煉和推進(jìn)技術(shù)的發(fā)展。合成原料進(jìn)行分散,以及層壓,燒制然后整理這些板材的整個(gè)過(guò)程。圖12顯示了增加更細(xì)的粉末和均勻片技術(shù)導(dǎo)致的電介質(zhì)和電極的減少。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖12:TAIYO YUDEN的核心技術(shù)導(dǎo)致更加緊湊和更高電容的MLCC產(chǎn)品。

生產(chǎn)價(jià)值遠(yuǎn)高于100μF的MLCC需要在實(shí)驗(yàn)室和制造技術(shù)方面進(jìn)行廣泛的研究。這些知識(shí)對(duì)于實(shí)現(xiàn)精確的層壓以及克服燒制的挑戰(zhàn)至關(guān)重要。層數(shù)增加。

TAIYO YUDEN MLCC增強(qiáng)

聲學(xué)噪聲抑制

高電容型MLCC中常用的鐵電陶瓷材料可能會(huì)導(dǎo)致在施加電場(chǎng)時(shí)的機(jī)械變形。利用AC電壓,電容器振動(dòng)并將該振動(dòng)傳遞到基板,從而產(chǎn)生可聽(tīng)見(jiàn)的聲音。為了解決這個(gè)問(wèn)題,TAIYO YUDEN開(kāi)發(fā)了聲學(xué)噪聲抑制介電材料,用于商業(yè)化電容器以降低噪聲。

這些降噪產(chǎn)品還可以減小電容量直流偏置電壓,非常適合用于筆記本電腦的電源電路。例如,在使用實(shí)際電路中的電壓波形進(jìn)行的測(cè)量中,與具有常規(guī)X5R特性的產(chǎn)品相比,確認(rèn)存在降壓效果,如圖13所示。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖13:采用聲學(xué)降噪措施降低聲壓級(jí)的MLCC。

軟終端

圖14顯示了MLCC外部電極的設(shè)計(jì)元素,包括軟端接方面。軟端接提供耐熱循環(huán)性和抗基板彎曲性。

高電容MLCCS的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

圖14:MLCC的軟端接提供耐熱循環(huán)性和對(duì)基板的耐受性TAIYO YUDEN高價(jià)值MLCC產(chǎn)品

TAIYO YUDEN利用專利技術(shù)和原材料的廣泛開(kāi)發(fā),不斷推出小尺寸,大批量的MLCC。具有超過(guò)1200層的多層結(jié)構(gòu)在EIA 1812外殼尺寸中產(chǎn)生470μF的電容。表1和表2顯示了最新MLCC的規(guī)格,其值大于100μF。

除電容值外,指定MLCC時(shí)所需的其他重要特性包括:最大額定電壓,厚度,EIA/JIS外殼尺寸和溫度額定值,以及溫度系數(shù)(電容變化)。溫度系數(shù)可確定MLCC在工作溫度范圍內(nèi)的變化程度。常見(jiàn)的評(píng)級(jí)包括:X5R(-55°C至+ 85°C,±15%),X6S(-55°C至+ 105°C,±22%),X7R(-55°C至125°C,± 15%)和X7S(-55°C至125°C,±22%)。

電容外殼尺寸

eIa額定電壓。

(VDC)溫度

特性電容

公差零件號(hào)100μF08052.5 X5R±20%PMK212BBJ107MG-T100μF12064 X5R±20%AMK316ABJ107ML-T100μF12064 X6S±20%AMK316AC6107ML-T100μF12066.3 X5R±20%JMK316ABJ107ML-T100μF1210 6.3 X5R±20%JMK325ABJ107MM-T100μF12106.3 X7S±20%JMK325AC7107MM-T100μF12106.3 X6S±20%JMK325AC6107MM-T100μF121010 X5R±20%LMK325ABJ107MM-T150μF12064 X5R±20%AMK316BBJ157ML -T150μF12104 X5R±20%AMK325ABJ157MM-T150μF12104 X6S±20%AMK325AC6157MM-T150μF12106.3 X5R±20%JMK325ABJ157MM-T220μF12062.5 X5R±20%PMK316BBJ227ML-T220μF12102.5 X6S±20%PMK325AC6227MM-T220μF12104 X5R±20%AMK325ABJ227MM-T220μF12104 X6S±20%AMK325AC6227MM-T220μF12106.3 X5 R±20%JMK325ABJ227MM-T330μF12102.5 X6S±20%PMK325AC6337MM-T330μF12104 X5R±20%AMK325ABJ337MM-T470μF18122.5 X6S±20%PMK432C6477MM-T470μF18124 X5R±20%AMK432BJ477MM-T

表1:適用于一般應(yīng)用的高值MLCCS。

電容外殼尺寸

eIa額定電壓。(VDC)溫度

特性電容

容差零件號(hào)100μF12064 X5R± 20%AMK316ABJ107MLHT100μF12066.3 X5R±20%JMK316BBJ107MLHT100μF12104 X5R±20%AMK325ABJ107MMHT100μF12106.3 X5R±20%JMK325ABJ107MMHT220μF12104 X5R±20%AMK325ABJ227MMHT

表2:高值MLCC高可靠性應(yīng)用 - 符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)。

除了超小型電容器和大容量電容器外,TAIYO YUDEN產(chǎn)品系列還包括特殊類型的電容器,如低ESL電容器,用于高頻應(yīng)用的電容器,高壓電容器和陣列型電容器。

結(jié)論

由于多層電容器的優(yōu)勢(shì)在非線性電容器中,MLCC器件已經(jīng)證明能夠在許多消費(fèi),工業(yè)和汽車應(yīng)用中取代聚合物電容器。越來(lái)越高價(jià)值的MLCC有望加強(qiáng)這一趨勢(shì)。憑借在將實(shí)驗(yàn)室突破轉(zhuǎn)化為大批量生產(chǎn)方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),TAIYO YUDEN正在確定高價(jià)值MLCC發(fā)展的步伐。如今,該公司認(rèn)識(shí)到超高端技術(shù)的關(guān)鍵市場(chǎng)需求。其目標(biāo)是通過(guò)開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的微結(jié)構(gòu)在2016年完成并提供1000μF陶瓷電容,從而在MLCC產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)更高的電容值。

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    陶瓷電容材質(zhì)解析:村田MLCC的穩(wěn)定性優(yōu)勢(shì)

    陶瓷電容器,作為電子元件中的重要組成部分,憑借其獨(dú)特的材質(zhì)特性和設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì),在現(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮著不可或缺的作用。其中,村田(Murata)多層陶瓷電容器(MLCC)以其卓越的穩(wěn)定性、
    的頭像 發(fā)表于 02-21 14:59 ?509次閱讀

    三星電容的MLCC技術(shù)有哪些優(yōu)勢(shì)?

    三星電容的MLCC(多層陶瓷電容器)技術(shù)具有顯著優(yōu)勢(shì),這些優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 一、介質(zhì)材料技術(shù)的突破 介電常數(shù)陶瓷材料:三星采用
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:09 ?358次閱讀
    三星<b class='flag-5'>電容</b>的MLCC技術(shù)有哪些<b class='flag-5'>優(yōu)勢(shì)</b>?

    為什么選擇超級(jí)電容優(yōu)勢(shì)有哪些?

    為什么選擇超級(jí)電容?優(yōu)勢(shì)有哪些?為什么選擇超級(jí)電容,就不得不仔細(xì)說(shuō)說(shuō)它的優(yōu)勢(shì)了。超級(jí)電容作為一種新型電化學(xué)儲(chǔ)能裝置,與傳統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 05-16 08:47 ?222次閱讀
    為什么選擇超級(jí)<b class='flag-5'>電容</b>?<b class='flag-5'>優(yōu)勢(shì)</b>有哪些?
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