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如何解決STM32在擦除內(nèi)部FLASH時(shí)間過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)致IWDG復(fù)位的問(wèn)題

STM32單片機(jī) ? 來(lái)源:未知 ? 2019-01-29 11:53 ? 次閱讀

客戶(hù)反饋在使用STM32F412的時(shí)候,擦除Sector 8~11發(fā)現(xiàn)時(shí)間過(guò)長(zhǎng),從而導(dǎo)致意外觸發(fā)IWDG復(fù)位。

問(wèn)題分析

問(wèn)題詳情

通過(guò)與客戶(hù)郵件和電話(huà)溝通,了解到客戶(hù)主要是想使用內(nèi)部FLASH暫時(shí)保存IAP升級(jí)時(shí)的程序數(shù)據(jù),在IAP升級(jí)的過(guò)程中,需要首先擦除內(nèi)部FLASH中一塊足夠大的空間,然后再寫(xiě)入升級(jí)數(shù)據(jù)。客戶(hù)的工程中有使用到IWDG,喂狗間隔大約1.5s,客戶(hù)的通過(guò)SysTick的方式計(jì)算出擦除Sector8大約需要2ms,因此認(rèn)為若一次擦除Sector8~11大約需要8ms,于是在代碼中一次性擦除Sector8~11后最后再來(lái)喂狗,但是,這樣會(huì)觸發(fā)IWDG復(fù)位,這個(gè)與預(yù)期不一致,固此產(chǎn)生疑問(wèn)。

問(wèn)題重現(xiàn)

使用NUCLEO-F412ZG板嘗試重現(xiàn)客戶(hù)問(wèn)題,主要代碼如下:

此外,同時(shí)在每個(gè)SysTick中斷輸出一個(gè)波形,用來(lái)檢測(cè)SysTick是否正常:

最終得出的波形如下:

如上圖,黃色為PC8腳波形,表示擦除FLASH的時(shí)間,下面藍(lán)色為PA11管腳波形,表示SysTick波形。

從上圖可以看出擦除Sector8所需要的時(shí)間是800ms,這個(gè)與客戶(hù)認(rèn)為的2ms是不一致的。查看STM32F412的數(shù)據(jù)手冊(cè),在第6.3.12節(jié)中可以看到如下信息:

如上圖,在PSIZE=32時(shí),擦除一個(gè)128K的扇區(qū)需要大概1S(典型值)的時(shí)間,而我們從圖1中實(shí)際測(cè)出的為800ms,這個(gè)基本相差不大,單與客戶(hù)認(rèn)為的2ms相去甚遠(yuǎn),基本上我們認(rèn)為這里的800ms是正確的結(jié)果,但是這個(gè)又是什么原因?qū)е驴蛻?hù)通過(guò)SysTick測(cè)出的值是錯(cuò)誤的呢?

實(shí)際上,從圖1我們也可以看出,在擦除FLASH的期間,SysTick是沒(méi)有波形的(見(jiàn)圖1下面藍(lán)色波形),同時(shí)在參考手冊(cè)3.5節(jié)中有如下信息:

這句話(huà)的意思是說(shuō),在擦除FLASH的期間,若嘗試讀取FLASH,則會(huì)被暫停,實(shí)際這個(gè)”讀取”是指取指,我們都知道,程序的執(zhí)行首先得通過(guò)從FLASH中通過(guò)I-BUS取出指令后才可以執(zhí)行。這里SysTick之所以會(huì)被暫停掉,就是因?yàn)樵诓脸鼺LASH期間,為了執(zhí)行SysTick中斷例程,內(nèi)核會(huì)嘗試從FLASH取指,從而導(dǎo)致被暫停掉,進(jìn)而全局變量uwTick的值沒(méi)有機(jī)會(huì)增加。下圖是調(diào)試界面:

如上圖,在執(zhí)行擦除扇區(qū)后,SysTick的全局變量uwTick就增加了1,但SysTick在內(nèi)核中的寄存器還是有變化的。這個(gè)與我們的預(yù)想一致。

最后客戶(hù)通過(guò)每擦除一個(gè)扇區(qū)喂一次狗的方式解決了問(wèn)題,而在此期間不能依靠SysTick的值來(lái)計(jì)算時(shí)間。

結(jié)論

○在擦除FLASH期間,取指操作會(huì)被暫停掉,且SysTick所對(duì)應(yīng)的全局變量uwTick值是不會(huì)增加的。

○另外,通過(guò)函數(shù)HAL_FLASHEx_Erase_IT()來(lái)執(zhí)行擦除FLASH和通過(guò)函數(shù)HAL_FLASHEx_Erase()所花費(fèi)時(shí)間沒(méi)有差別,只不過(guò)前者在擦除完成后會(huì)產(chǎn)生一個(gè)中斷,而后者沒(méi)有。

○可以通過(guò)外設(shè)RTC來(lái)計(jì)算擦除FLASH的時(shí)間,從而繞開(kāi)限制。

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原文標(biāo)題:STM32擦除內(nèi)部FLASH時(shí)間過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)致IWDG復(fù)位分析

文章出處:【微信號(hào):STM32_STM8_MCU,微信公眾號(hào):STM32單片機(jī)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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