BJ-EPM240學習板之SRAM讀寫實驗

靜態隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。

SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大［1］，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。

一種是置于cpu與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128字節SRAM，存儲我們所設置的配置數據。還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。

SRAM主要用于二級高速緩存（Level2 Cache）。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。

SRAM芯片時字操作大同小異，在這里總結一一些它們共性的東西，也提一些用Verilog簡單的快速操作SRAM的技巧。

這里就以本實驗使用的IS62LV256-70U為例進行說明。其管腳定義如表所示。

BJ-EPM240學習板之SRAM讀寫實驗