全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。

其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%；電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%。

集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產(chǎn)業(yè)，2019年景氣仍然持續(xù)向上。雖然仍受到全球貿(mào)易不穩(wěn)定等因素影響，但在需求驅動下，受影響程度要小于其他IC產(chǎn)品。集邦咨詢預估，2019年中國功率半導體市場規(guī)模將達到2,907億元人民幣，較2018年成長12.17%，維持雙位數(shù)的成長表現(xiàn)。

受益于***的政策推動和缺貨漲價的狀況，2018年多家中國本土功率半導體廠商取得亮眼的成績，并擴大布局。其中，比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢，在車用IGBT市場快速崛起，取得中國車用IGBT市場超過兩成的市占率，一躍成為中國銷售額前三的IGBT供應商；MOSFET廠商華微電子和揚杰科技營收大增，并且逐漸導入IGBT市場。

另外，新建與規(guī)劃中的IGBT產(chǎn)線有士蘭微廈門12寸特色工藝產(chǎn)線、華潤微電子在重慶建設的12寸特色工藝產(chǎn)線，以及積塔半導體專業(yè)汽車級IGBT產(chǎn)線等。同時，多家廠商也投入研發(fā)SiC等新材料技術領域，基本半導體的SiC MOSFET已進入量產(chǎn)上市，而定位為代工的三安光電SiC產(chǎn)線也已開始接單、比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET，其目標是到2023年實現(xiàn)SiC MOSFET對硅基IGBT的全面替代。

展望2019年，從終端需求來看，新能源汽車仍然為中國功率半導體市場最大需求來源，根據(jù)集邦咨詢資料顯示，2019年中國新能源車產(chǎn)量預估為150萬輛，較前一年成長45%，其ADAS系統(tǒng)、電控以及充電樁的需求將帶動功率分立器件市場規(guī)模約270億元。同時，5G建設所需的基站設備及其普及后帶來物聯(lián)網(wǎng)、云計算的快速發(fā)展，將對功率半導體產(chǎn)生長期大量需求，另外，工業(yè)自動化規(guī)劃持續(xù)推進，與之相關的電源、控制、驅動電路將持續(xù)推升中國功率半導體的采購。

從供應端來看，2019年雖然有3-5條功率產(chǎn)線將進入量產(chǎn)，但根據(jù)集邦咨詢預計，2019年前三季度功率分立器件產(chǎn)品缺貨情況恐難有明顯好轉，多家廠商的產(chǎn)品價格預期仍將上漲。從廠商的技術發(fā)展來看，SiC MOSFET有望進一步提高在車用領域對硅基IGBT的替代率，硅基IGBT則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續(xù)發(fā)展。

來源：集邦咨詢