4N60器件的特性分析
UTC 4N60是一個(gè)高電壓MOSFET ，并設(shè)計(jì)成有更好的特性，如快速開(kāi)關(guān)時(shí)間，低門(mén)電荷，低通態(tài)電阻，并具有高耐用雪崩的特點(diǎn)。這個(gè)功率MOSFET通常用在高速開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用， PWM馬達(dá)控制，高高效率的DC -DC轉(zhuǎn)換器和電橋電路。4n60一般有耗盡型和強(qiáng)化型兩種。
特征：
1、4A，600V， RDS（on）=2.5Ω@Vgs=10V
2、極低柵電荷，典型15nC
3、極低反向轉(zhuǎn)換電容；典型8pF
4、快速開(kāi)關(guān)能力
5、增強(qiáng)的dV/di能力
6、100%雪崩擊穿測(cè)試
7、封裝型式：TO-220/TO-220F
8、最大結(jié)溫 150 ℃
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