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• 發布了文章 2025-07-31 09:29

  超快恢復二極管器件串并聯導致均壓均流問題分析

  

  在電源系統、變頻器及高頻功率變換設備中，MDD辰達半導體的超快恢復二極管憑借其反向恢復時間短、開關損耗低的特點，廣泛應用于高頻整流和續流電路。但在某些大功率應用中，為了滿足更高的電壓或電流需求，工程師往往采用器件串聯或并聯的方式。然而，若忽視器件之間的特性差異及配套設計，容易引發均壓均流問題，最終造成電路效率降低甚至器件失效。一、串聯應用中的均壓挑戰當需要承

  二極管 并聯

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• 發布了文章 2025-07-30 10:09

  超快恢復二極管選型不當導致效率降低的分析與應對

  

  在高頻、高效電源設計領域，辰達半導體超快恢復二極管憑借其極短的反向恢復時間（Trr）和低反向電流損耗，成為開關電源、逆變器、功率因數校正（PFC）等場合中的重要器件。然而，工程實踐中常見因選型不當而造成的系統效率下降甚至器件失效問題，值得引起重視。本文將圍繞超快恢復二極管選型失誤引發的效率降低問題，結合實務經驗加以解析，并給出應對建議。一、效率下降的根本原因

  二極管 半導體

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• 發布了文章 2025-07-24 09:46

  快恢復二極管串并聯的工程實戰案例分析

  

  在功率電子設計中，快恢復二極管憑借其優異的反向恢復特性，廣泛應用于高頻整流、電機驅動、電動車控制器、開關電源等場景。在大功率、高電壓或高電流的應用中，單顆快恢復二極管可能無法滿足工作需求，因此工程師常采用串聯或并聯方式進行擴展。然而，串并聯設計并非簡單的堆疊組合，實際應用中需面臨諸如均壓、均流、熱分布等挑戰。本文將結合工程案例，探討快恢復二極管串并聯的設計要

  二極管 功率電子 快恢復二極管

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• 發布了文章 2025-07-23 09:56

  快恢復二極管串聯與并聯設計：均壓均流與應用挑戰

  

  快恢復二極管憑借較短的反向恢復時間和較低的開關損耗，在高頻整流、PFC電路和逆變器等應用中廣泛使用。隨著電源系統的功率密度不斷提升，單顆二極管的耐壓或電流能力往往不足，這就需要通過串聯或并聯的方式實現更高的耐壓或電流能力。然而，FRD在串并聯應用中會面臨均壓、均流以及熱穩定性的挑戰。一、串聯應用：提高耐壓能力問題背景單顆快恢復二極管的反向耐壓（VRRM）通常

  串聯 并聯 快恢復二極管

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• 發布了文章 2025-07-17 10:57

  如何通過實驗測試驗證整流二極管在極端環境下的可靠性？

  

  為確保整流二極管在高溫、高濕、振動、沖擊等極端環境下的可靠性，需通過一系列標準化實驗測試進行驗證。以下結合國際測試標準與工程實踐，系統介紹測試方法及實施要點：??一、環境應力測試????1.高溫存儲測試（HTSL）????目的??：評估高溫對材料老化的影響。??測試條件??：溫度：150℃（硅器件）或175℃（SiC器件）時長：168–1000小時（不通電）

  整流二極管 測試

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• 發布了文章 2025-07-16 10:51

  在高溫或高振動環境下，整流二極管的降額曲線應該如何調整？

  

  在高溫或高振動環境下，整流二極管的降額曲線需結合熱力學和機械應力進行綜合調整，以確保長期可靠性。以下是具體調整策略及設計要點：一、高溫環境下的降額曲線調整1.溫度對電流能力的限制整流二極管的額定電流隨環境溫度升高而顯著下降，需遵循“溫度-電流降額曲線”：降額原理：結溫（Tj）是核心限制參數。硅二極管最高結溫通常為125℃~175℃，需滿足：Tj=Ta+(IF

  振動 整流二極管

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• 發布了文章 2025-07-08 09:43

  淺談辰達MOSFET在USB PD快充電源中的應用挑戰與應對

  

  在USBPD快充電源設計中，MOSFET作為功率控制與轉換的核心器件，發揮著關鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進，對MOSFET的性能提出了更嚴苛的挑戰。本文將從應用挑戰出發，結合FAE工程實踐，分析MOSFET在USBPD快充中的關鍵設計要求與應對策略。一、應用背景：MOSFET在USBPD快充中的位置USBPD（PowerDelivery

  MOS MOSFET USB PD

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• 發布了文章 2025-07-07 10:23

  MOSFET與IGBT的選擇對比：中低壓功率系統的權衡

  

  在功率電子系統中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關器件，廣泛應用于中低壓功率系統。它們各有優缺點，適用于不同的應用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應用場景，能夠有效提高系統設計的效率與穩定性。本文將詳細分析MOSFET與IGBT的選擇對比，特別是在中低壓功率系統中的權衡。一、MOSFET與IGBT的基本原理MOSFET工作原理：MO

  IGBT MOS MOSFET 開關器件

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• 發布了文章 2025-07-04 10:03

  并聯MOSFET設計指南：均流、寄生參數與熱平衡

  

  在現代高效電源設計中，MOSFET并聯技術廣泛應用于要求大電流承載能力的電路中，如電動汽車、電源供應、功率放大器等。通過并聯多個MOSFET，可以大幅提高電路的電流處理能力、降低導通損耗，并增強系統的整體可靠性。然而，MOSFET并聯設計并非簡單的“多加幾個”過程，必須考慮到均流、寄生參數與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實際設計中有效應對這些挑戰，優化并

  MOS MOSFET 并聯

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• 發布了文章 2025-07-03 09:42

  同步整流MOSFET的設計要點與效率提升技巧

  

  在現代高效率電源系統中，同步整流技術已成為主流選擇，尤其是在DC-DC變換器、USB快充適配器、服務器電源和車載電源等場景中。同步整流相比傳統的肖特基二極管整流，能夠顯著降低導通損耗，提高轉換效率。其核心器件——MOSFET，在設計中扮演著至關重要的角色。本文將深入探討同步整流MOSFET的選型要點和提升效率的設計技巧。一、同步整流的基本原理傳統整流使用二極

  MOS MOSFET 二極管 同步整流

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