動態

• 發布了文章 2025-03-13 09:41

  MDD整流橋諧波抑制全攻略：LC濾波與有源PFC的工程平衡術

  

  在電力電子應用中，MDD整流橋廣泛用于AC-DC轉換，但其非線性整流特性會產生較大的諧波電流，影響電網質量，甚至導致電磁干擾（EMI）超標。為抑制諧波，提高功率因數（PF），常用的方法包括LC濾波和有源功率因數校正（PFC）。然而，這兩種方案各有優劣，如何在工程上實現性能、成本和效率的最佳平衡，是電源設計工程師必須面對的挑戰。MDD在本文將深入探討LC濾波與

  LC濾波 MDD 整流橋 有源PFC

  416瀏覽量

• 發布了文章 2025-03-12 10:00

  高頻應用下的整流橋挑戰：MDDEMI優化與反向恢復時間控制方案

  

  在高頻電源轉換應用（如開關電源、逆變器、電機驅動）中，MDD整流橋的選型和設計直接影響系統效率和電磁兼容性（EMC）。高頻下的主要挑戰包括EMI（電磁干擾）控制和反向恢復時間（trr）優化，如果處理不當，會導致能量損耗、信號干擾、甚至器件損壞。MDD在本文探討高頻應用下整流橋的EMI優化策略及反向恢復時間的控制方案。1.高頻應用中整流橋的挑戰（1）EMI問題

  emi MDD 整流橋

  453瀏覽量

• 發布了文章 2025-03-11 12:00

  整流橋失效深度剖析：MDD從過載燒毀到機械應力的工業案

  

  MDD整流橋是電子設備中最常見的功率器件之一，被廣泛應用于開關電源、工業控制、變頻器、汽車電子和家電電源等領域。然而，在長期運行或極端工況下，整流橋可能因過載燒毀、熱失控、機械應力、浪涌沖擊等因素失效，導致設備故障甚至安全事故。本文結合在工業電源、汽車充電系統和家電領域的應用案例，對整流橋失效的深層原因進行剖析，并提供有效的工程解決方案，幫助工程師提高電源系

  MDD 整流橋 機械應力

  506瀏覽量

• 發布了文章 2025-03-10 10:41

  整流橋選型十大陷阱：MDD從電流諧波到散熱設計的實戰解析

  

  在工業電源設計中，整流橋選型失誤可能引發災難性后果。某光伏逆變器項目因忽略反向恢復電荷（Qrr）導致整機效率下降8%，直接損失超百萬元。本文結合MDD（模塊化設計方法），深度解析整流橋選型中的十大關鍵陷阱，并提供系統性解決方案。一、電流有效值誤算：RMS值的隱形殺手案例：某10kW充電樁因按平均值選型，整流橋溫升達120℃炸裂。陷阱分析：輸入電流波形畸變（T

  MDD 散熱設計 整流橋

  410瀏覽量

• 發布了文章 2025-03-07 09:31

  從焊接虛焊到靜電擊穿：MDDMOS管安裝環節的問題

  

  在電子制造中，MDDMOS管的安裝環節暗藏諸多風險。某智能手表產線因焊接虛焊導致30%的MOS管失效，返工成本超百萬。本文MDD通過典型故障案例，剖析安裝過程中的五大核心問題，并提供系統性解決方案。一、焊接虛焊：IMC層的致命缺陷案例：某無人機電調批量出現MOS管功能異常，X射線檢測顯示焊點空洞率達25%。機理分析：焊接溫度曲線偏差（峰值溫度未達235℃），

  MOS 焊接 虛焊

  376瀏覽量

• 發布了文章 2025-03-06 10:31

  驅動電路設計踩坑錄：MDDMOS管開關異常的診斷與修復

  

  在電力電子系統中，MDDMOS管的開關異常往往導致效率驟降、EMI超標甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅動波形振蕩引發MOS管過熱，導致整機返修率高達15%。本文結合典型故障案例，剖析驅動電路設計中的四大關鍵陷阱，并提供系統性解決方案。一、柵極振蕩：探針引發的“假故障”故障現象：某變頻器驅動波形實測時出現20MHz高頻振蕩，但上機后MOS管溫升異常。根

  MDD MOS 驅動電路

  435瀏覽量

• 發布了文章 2025-03-05 11:41

  MOS管發燙嚴重：從散熱設計到驅動波形的優化實戰

  

  在電機驅動、電源轉換等場景中，MDDMOS管嚴重發熱是工程師面臨的常見挑戰。某工業伺服驅動器因MOS管溫升達105℃，導致系統頻繁觸發過溫保護。本文通過解析發熱機理，結合實測數據，提供從散熱設計到驅動優化的系統性解決方案。一、發熱根源：損耗模型的精準拆解MOS管發熱本質是能量損耗的累積，主要包含：導通損耗：P=IMsxRs(o)xD，某50A電機驅動案例中，

  MOS MOS管 散熱設計

  721瀏覽量

• 發布了文章 2025-03-04 12:01

  MOS管選型十大陷阱：參數誤讀引發的血淚教訓MDD

  

  在電力電子設計中，MOS管選型失誤導致的硬件失效屢見不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數引發炸管，直接損失50萬元。本文以真實案例為鑒，MDD辰達半導體帶您解析MOS管選型中的十大參數陷阱，為工程師提供避坑指南。一、VDS耐壓虛標：動態尖峰的致命盲區誤讀后果：某充電樁模塊標稱650V耐壓MOS管，實際測試中因關斷尖峰達720V導致批量擊穿。數據手冊陷阱：廠家

  MDD MOS 電源

  366瀏覽量

• 發布了文章 2025-03-03 17:39

  MOS管莫名燒毀？5大元兇與防護方案深度解析MDD

  

  在電子系統設計中，MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問題。MDD辰達半導體在本文結合典型失效案例與工程實踐，深度解析五大核心失效機理及防護策略，為電路可靠性提供系統性解決方案。一、過壓擊穿：雪崩能量的致命威脅過壓是MOS管燒毀的首要元兇，常見于電源浪涌、感性負載關斷時的電壓尖峰。當漏源電壓（VDS）超過額定耐壓時，雪崩擊穿瞬間產生焦耳熱，導致芯片局部熔融。例如，

  MDD MOS MOS管

  431瀏覽量

• 發布了文章 2025-02-28 10:41

  三極管下拉電阻設計：穩定與效率的平衡藝術

  

  在智能門鎖的無線控制模塊中，一枚未被正確配置下拉電阻的三極管因靜電干擾誤觸發開鎖指令，這個真實案例揭示了外圍電阻設計對三極管電路可靠性的決定性影響。作為三極管應用的"守門人"，下拉電阻通過精準的電位控制，在電路穩定、功耗優化和抗干擾之間構建精妙平衡。一、下拉電阻的核心作用機制：電位錨定：當三極管基極處于高阻態（如MCUGPIO懸空時），下拉電阻（Rb_pul

  三極管 下拉電阻 電機控制

  702瀏覽量