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MDD是國內少數采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導體品牌,15年的行業深耕,一直專注于半導體領域。在科技研發與創新的基礎上,積累了厚實的研發設計能力,同時還建立全流程的封裝測試產線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項)。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件
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對于工程師來說,浪涌保護不僅僅是選擇合適的電源板或者拔下幾根電纜,主要涉及在?PCB 布局中放置瞬態保護組件并應用明確的
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MDD辰達半導體榮獲半導體市場創新企業獎、創新產品獎兩項大獎
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MDD辰達半導體橋堆是一種用于將交流電轉換為直流電的電路器件,它通過將交流電的正負半周期分別轉換為同一極性的直流電信號,
2024年5月29日,由深圳市電子商會,中小企業公共服務平臺主辦的2024電子信息產業新質生產力交流大會暨第七屆“藍點獎
半導體分立器件廠商MDD辰達半導體在第八屆“深圳(灣區)國際品牌周上獲雙項“知名品牌”
近日,以“探索品牌無限未來”為主題的第八屆“深圳(灣區)國際品牌周暨2024年中國品牌日·深圳地方特色活動”在深圳廣電大
MDD辰達半導體榮獲“2023年度華強電子網優秀國產品牌企業”稱號
近日,MDD辰達半導體以其卓越的品質、出色的服務和持續的創新精神,榮獲了華強網 2023 年度優秀品牌企業的殊榮。
隨著社會生活水平的不斷提高,越來越多的人開始重新定義品質生活。在智能科技迅速發展的今天,選擇高科技智能機器人來協助家務已
深圳辰達行電子有限公司成立于2008年,公司總部位于廣東深圳,是一家專業研發生產半導體分立器件的國家高新技術企業。
公司通過不斷努力,高品質的“MDD”品牌得到廣大客戶的信賴與支持,公司投資建設封裝廠,工廠占地24畝,建筑面積15000平方,現有員工300余人,年產銷二極管、整流橋總量約70億只。
工廠引進全套國外先進設備和科學管理體系,擁有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-252、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6、SOT-23、SOT-89、SOD-523、DFN等多種封裝形式的二極管/整流橋生產線;品種規格齊全,有普通整流、快速恢復、高效率、超快速、肖特基、整流橋、以及雙向觸發、高壓、瞬態抑制、開關、穩壓等各種系列的二極管/整流橋。
公司通過了ISO9001:2008質量管理體系、ISO14001環境管理體系認證,產品通過美國UL認證,并符合歐盟RoHS、REACH環保要求,可為客戶提供量身定制與研發設計的專業服務,并可以提供滿足客戶需求的無鹵素產品。產品廣泛應用于消費類電子、安防、工控類、汽車電子、新能源等領域并遠銷歐美及東南亞地區,在客戶中享有良好的口碑。
展望未來,辰達行將常懷感恩的心,竭誠為新老客戶提供優質產品和完美服務。力爭為中國半導體事業做出奉獻!
靜電是如何產生的 任何兩個不同材質的物體接觸后再分離,即可產生靜電,而產生靜電的普遍方法,就是摩擦生電。材料的絕緣性越好,越容易產生靜電。因為空氣也是由...
電池管理系統是一種能夠對電池進行監控和管理的電子裝備,是電池與用戶之間的紐帶。通過對電壓、電流、溫度以及SOC等數據采集,計算進而控制電池的充放電過程,...
TVS和ESD都是利用二極管反向擊穿特性的原理制成的電壓保護型器件。TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬態抑制二極...
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體...
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慕尼黑上海電子展(electronica China)將于2024年7月8-10日在上海新國際博覽中心舉辦,展示領域緊跟行業重點,并根據行業實時熱點融入...
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半導體分立器件廠商MDD辰達半導體在第八屆“深圳(灣區)國際品牌周上獲雙項“知名品牌”
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MDD辰達半導體榮獲“2023年度華強電子網優秀國產品牌企業”稱號
近日,MDD辰達半導體以其卓越的品質、出色的服務和持續的創新精神,榮獲了華強網 2023 年度優秀品牌企業的殊榮。
2023年10月30日至11月1日,MDD辰達半導體作為半導體功率器件一線品牌,攜全新產品亮相深圳慕尼黑華南電子展(electronica South ...
根據Omdia的數據,2020年全球功率MOSFET的市場規模為81億美元,在新能源汽車,工業控制、5G通訊等市場需求的加持下,全球增速將保持高速增長,...
型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
---|---|---|---|
MDD15N10D | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續漏極電流(Id):15A;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V; |
獲取價格
|
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DFR1J F1J | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.3V@1A;反向恢復時間(trr):250ns; |
獲取價格
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DSR0.3K S03K | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):800V;平均整流電流(Io):300mA;正向壓降(Vf):1.1V@300mA; |
獲取價格
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SOD1H8 U8 | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):1kV;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.7V@1A;反向恢復時間(trr):75ns; |
獲取價格
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BZT52C7V5-WC | 二極管配置:獨立式;穩壓值(標稱值):7.5V;穩壓值(范圍):7V~7.9V;精度:-;功率:500mW; |
獲取價格
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