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• 發布了產品 2022-07-15 09:53

  PTVA035002EV-V1 高功率射頻 LDMOS FET 500 W CREE

  

  產品型號：PTVA035002EV-V1 熱效率：高增益和高效率 負載失配： 13:1 脈沖條件下承受： 57 dBm

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• 發布了產品 2022-07-15 09:47

  PTVA030121EA-V1 大功率射頻 LDMOS FET 12 W CREE

  

  產品型號：PTVA030121EA-V1 熱效率：高增益; 低熱阻 穩固性：出色的堅固性 承受電壓：50V

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• 發布了產品 2022-07-15 09:40

  PTRA097008NB-V1 大功率射頻 LDMOS FET 630 W CREE

  

  產品型號：PTRA097008NB-V1 峰值 P1dB： 400 W 典型值 占空比：10% P1dB輸出功率：180 W

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• 發布了產品 2022-07-15 09:30

  PTRA093818NF-V1 大功率射頻 LDMOS FET 415 W CREE

  

  產品型號：PTRA093818NF-V1 典型的脈沖連續波性能：960兆赫 峰值 P1dB：250 W 典型值 P3dB輸出功率：375 W

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• 發布了產品 2022-07-15 09:14

  PTRA087008NB-V1 大功率射頻 LDMOS FET 650 W CREE

  

  產品型號：PTRA087008NB-V1 峰值 P1dB：380 W 典型值 典型的脈沖連續波性能：805兆赫 P3dB輸出功率：650 W

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• 發布了產品 2022-07-14 18:27

  PTRA082808NF-V1 高功率射頻 LDMOS FET 280 W CREE

  

  產品型號：PTRA082808NF-V1 P1dB：115 W Typ 峰值：P1dB： 165 W 典型值 增益：16.2 分貝

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• 發布了產品 2022-07-14 18:18

  PTGA090304MD-V2 寬帶 LDMOS 兩級集成功率放大器 2 x 20 W CREE

  

  產品型號：PTGA090304MD-V2 P1dB 時的輸出功：45 dBm P3dB 時的輸出功：45.9 dBm P3dB 時的輸出功：45.9 dBm

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• 發布了產品 2022-07-14 18:10

  PTGA090304MD-V2 寬帶 LDMOS 集成功率放大器 2 X 15 W CREE

  

  產品型號：PTGA090304MD-V2 典型的 CW 性能：960 MHz，50 V P1dB 時的輸出功：45 dBm P3dB 時的輸出功：45.9 dBm

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• 發布了產品 2022-07-14 18:01

  PTFC270101M-V1 大功率射頻 LDMOS FET 10 W CREE

  

  產品型號：PTFC270101M-V1 輸出功率@P1dB ：10 W 增益： 20 分貝 效率：60%

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• 發布了產品 2022-07-14 17:50

  PXAC210552FC-V1 高功率射頻 LDMOS FET CREE

  

  產品型號：PXAC210552FC-V1 P1dB：35 W 典型值 P1dB 時的輸出功：27 W 增益 ：17 分貝

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