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發布了產品 2022-07-11 09:54
GTRA362002FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA362002FC-V1 P3dB輸出功率： 200 W 效率：60% 增益：12.5 分貝102瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 18:54
MRF137 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管放大器 MACOM品牌
產品型號：MRF137 輸出功率：30 W 最小增益：13 dB 效率：60%355瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 18:17
MRF136 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 MACOM品牌
產品型號：MRF136 晶體管極性:：N-Channel 工作頻率:：400 MHz 增益:：16 dB474瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 10:50
GTRA360502M-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA360502M-V1 峰值:P3dB：36w 典型脈沖：連續波性能 占空比：10%102瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 10:36
GTRA263902FC-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA263902FC-V2 輸出功率為：P3dB = 370 W 典型脈沖：連續波性能 效率：70%231瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 10:25
GTRA262802FC-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA262802FC-V2 連續波性能：典型的脈沖 脈沖寬度：16 μs 占空比：10%95瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 10:12
GTRA260502M-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA260502M-V1 連續波性能：典型脈沖 占空比：10% 效率：64%150瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-08 09:13
GTRA214602FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA214602FC-V1 P3dB ：170 W 典型值 峰值：350 W 典型值 增益：15 dB83瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-04 11:44
GTRA184602FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：GTRA184602FC-V1 技術：GaN on SiC HEMT 輸出功率：：460 W @ P3dB 效率：：62% @ POUT = 49 dBm142瀏覽量 -
發布了產品 2022-07-04 10:07
CMPA901A035F-AMP氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)評估板
產品型號：CMPA901A035F-AMP 典型輸出功率： 40 W 典型功率增益： 23 dB 典型 PAE： 35%294瀏覽量
