動態(tài)
-
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 16:49
PXFE211507FC-V1 大功率射頻 LDMOS FET
產(chǎn)品型號：PXFE211507FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：2140兆赫 P1dB時的輸出功率：172W P3dB輸出功率：208 W230瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 16:37
WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)
產(chǎn)品型號：WSGPA01-V1 工作頻率：：高達 5 GHz P3dB：：高達 10 W 電源電壓：：高達 50 V230瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 16:03
PTFC210202FC-V1 大功率射頻 LDMOS FET
產(chǎn)品型號：PTFC210202FC-V1 典型的連續(xù)波性能：2170兆赫 組合輸出：：P1dB = 28 W 時的輸出功率 增益：20.9 分貝211瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 15:42
PTAC210802FC-V1高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：PTAC210802FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：2170兆赫 輸出功率： P3dB 75 W 效率 ：48 %122瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 15:28
GTVA355001EC氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：GTVA355001EC 脈沖寬度：300 μs 占空比：10% 輸出功率：P3dB = 500 W150瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 14:41
GTVA220701FA-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：GTVA220701FA-V1 輸出功率：P3dB 45 W 效率： 60.7% 增益： 21.6 分貝127瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 14:28
GTVA212701FA-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：GTVA212701FA-V2 占空比：10% 輸出功率： P3dB 300 W 效率： 68.5%141瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-12 15:04
GTVA126001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：GTVA126001EC-V1 占空比；：10% 輸出功率（P3dB）：600W 排水效率 ：65%；122瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-12 09:15
GTVA123501FA-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：GTVA123501FA-V1 輸出功率：350W； 排水效率 ：70 %； 增益：18 分貝224瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-11 15:20
GTVA107001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：GTVA107001EC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：1030兆赫 脈沖寬度：128 μs 占空比：10%189瀏覽量
